全桥式逆变器部分使用了3种晶体管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET),组成相同尺寸的移相DCDC转换器,就是用来比较各产品效率的演示机。 首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个...
Si IGBT：现代高压Si IGBT 采用场截止沟槽栅极结构。通态压降包括VP+N（P+集电极/N基极结）、VNB（考虑高电平注入效应的N基极区压降）和VMOSFET（MOSFET部分压降）。Si IGBT 与 Si D-MOSFET 具有相同的 Vth 和 Rg,int，但沟槽栅极不同。二.SiC 系列功率器件 • SiC MOSFET：目前，SiC 功率器件主要采用平面...
(2)IGBT+SIC-MOS a.混合器件的导通特性在低电流下呈现为单极性的 SiC MOSFET 低导通电阻特性, 而在大电流条件下,整合了双极性 IGBT 近乎于恒定压降特点,可在宽电流范围内降低器件的导通压降。 b.双门极结构使其相较于传统功率器件增加了一个门极控制自由度,门极开关时序灵活组合,两个器件在合理延时范围内的异...
尽管如此，由于材料的桎梏，Super junction MOSFET仍在导通电阻和额定电压方面落后于 IGBT 和 SiC-MOSFET。高压器件目前还是以Si IGBT和SiC MOSFET为主。SiC MOSFET, 目前主流结构有两种：平面型和沟槽型。目前市面上大多数厂商都采用平面型结构，剖面结构如下所示，可以清楚地看到电流路径上的电阻分布 功率MOSFET的导通...
金融界2025年2月26日消息，国家知识产权局信息显示，厦门芯一代集成电路有限公司取得一项名为“一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法”的专利，授权公告号CN 113690194 B，申请日期为2021年8月。天眼查资料显示，厦门芯一代集成电路有限公司，成立于2017年，位于厦门市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册...
与IGBT的区别:关断损耗特性 前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高速开关。在此具体就与IGBT开关损耗特性的区别进行说明。 众所周知,当IGBT的开关OFF时,会流过元器件结构引起的尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。
尽管如此,由于材料的桎梏,Super junction MOSFET仍在导通电阻和额定电压方面落后于 IGBT 和 SiC-MOSFET。高压器件目前还是以Si IGBT和SiC MOSFET为主。 SiC MOSFET, 目前主流结构有两种:平面型和沟槽型。 目前市面上大多数厂商都采用平面型结构,剖面结构如下所示,可以清楚地看到电流路径上的电阻分布 ...
Si·MOSFET、S..1、功能范围:EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导
1.Vincotech IGBT升压模块flowBOOST 0系列、型号V23990-P629-F72-PM,集成有40 A/ 1200 V 超快速IGBT 和30A/1200V STEALTH 二极管(模块集成有两路升压电路时,对比我们只使用一路,三种组合都是如此),简称IGBT-Si组合。 2. Vincotech IGBT升压模块flowBOOST 0系列、型号V23990-P629-F62-PM,集成有40 A/ 120...
1.器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件,单位面积的导通电阻也越大(以耐压值的约2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的电压中主要采用IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)。IGBT通过 zhangyouliang2019-05-07 06:21:55 微波功率器件材料是什么 微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能,归纳起来,即在微波功率产生及放大...