IGBT的结构可以分为表面栅极结构和体Si结构两部分,表面栅极结构有两种类型:栅极形成在晶圆表面的平面栅结构和栅极形成在晶圆表面沟槽中的沟槽栅结构,沟槽栅结构将平面栅的表面沟道移到体内,消除了平面栅结构中的JFET区,提高了器件的电流密度,平面栅IGBT和沟槽栅IGBT的结构分别如图2 a)和b)所示。 图2:a) 平面栅IGBT 图2:b
IGBT处于关闭状态，集电极引脚间无电流通过。然而，一旦栅极电压超过特定阈值，IGBT便开始导通，集电极电流（IG）随之在集电极与发射极端子间开始流动。IGBT兼具电压控制优势，当栅极电压超过阈值，电流开始流动，表现出高效的电流控制能力。
IGBT的正面MOS结构包括栅极和发射区,其中栅的结构从平面栅(Planar)发展为沟槽栅(Trench)。(1)平面栅。平面栅有较好的栅氧化层质量,栅电容较小,不会在栅极下方造成电场集中而影响耐压,经过优化也可改善器件工作特性,如降低开关损耗等,在高压IGBT(3300V及以下电压等级)中被普遍采用。(2)沟槽栅。沟槽栅结构将多晶硅...
沟槽栅结构:栅极形成在晶圆表面的沟槽中,这种结构将平面栅的表面沟道移到体内,消除了平面栅结构中的JFET区,提高了器件的电流密度。 体Si结构根据器件在反向耐压时耗尽区是否到达集电区可以分为穿通型(PT)IGBT、非穿通型(NPT)IGBT以及FS型IGBT(可以看作是穿通型的改进结构)。 IGBT的基本结构包含以下几个部分: P...
一、IGBT器件的基本结构 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管,是一种复合全控型电压驱动式开关功率半导体器件。它结合了双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的特点,具备高电压、大电流和高速开关等优良性能。IGBT的基本结构可以分为表面栅极结构和体Si结构两部分,以下是对...
IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种集成了BJT（双极结型晶体三极管）与MOS（绝缘栅型场效应管）的复合全控型功率半导体器件。它采用电压驱动方式，具备自关断功能。简而言之，IGBT的工作原理类似于一个非通即断的开关。在导通状态下，它可以被视为导线，而在断开时则相当于开路。这种器件不仅融合了BJT和MOSFET的...
刚性压接器件主要结构由集电极铜板、集电极钼片、IGBT芯片、发射极钼片、银垫片、门极顶针、支架、门极PCB、凸台、发射极铜板和外壳构成,其中钼片作为缓冲层以减小热应力对芯片的冲击,门极顶针连接芯片门极区和门极PCB以传递驱动信号,银垫片用于缓解芯片间压力分配不均问题,集电极与发射极铜板外表面均可安装散热装置...
IGBT正是作为顺应这种要求而开发的,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十KHz频率范围内。基于这些优异的特性,IGBT一...
IGBT的正面MOS结构包括栅极和发射区,其中栅的结构从平面栅(Planar)发展为沟槽栅(Trench)。(1)平面栅。平面栅有较好的栅氧化层质量,栅电容较小,不会在栅极下方造成电场集中而影响耐压,经过优化也可改善器件工作特性,如降低开关损耗等,在高压IGBT(3300V及以下电压等级)中被普遍采用。(2)沟槽栅。沟槽栅结构将多晶硅...
IGBT的正面MOS结构包括栅极和发射区,其中栅的结构从平面栅(Planar)发展为沟槽栅(Trench)。(1)平面栅。平面栅有较好的栅氧化层质量,栅电容较小,不会在栅极下方造成电场集中而影响耐压,经过优化也可改善器件工作特性,如降低开关损耗等,在高压IGBT(3300V及以下电压等级)中被普遍采用。(2)沟槽栅。沟槽栅结构将多晶硅...