多数器件制造商推荐的IGBT工作电压VCE的上限值为80%额定电压。 IGBT的栅极和MOSFET一样多属于MOS(金属-氧化物-半导体)结构,当栅极引入过电压时可导致栅氧层的缺陷产生或直接击穿而使IGBT失效--栅极过电压失效。 另外,当IGBT栅极引入高电压时,集电极电流会跟随变大,关断这个电流而产生的集电极过电压(VCE)有可能使集电极产生击穿-
金融界2024年11月19日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市齐飞半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT芯片结构”的专利，授权公告号CN 222015394 U，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种IGBT芯片结构，包括芯片本体，所述芯片本体镶嵌固定芯片加强结构的内部；芯片加强结构包括外衬套，且外衬套的内...
金融界2024年12月10日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构”的专利，公开号CN 119092408 A，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本申请涉及半导体器件技术，公开了一种IGBT芯片结构的制备方法和IGBT芯片结构，包括：在晶圆的衬底正面之上形成氧化...
IGBT的芯片结构和其失效模式分析 星级: 38 页 IGBT的芯片结构及其失效模式分析[行业信息] 星级: 39 页 IGBT的芯片结构及其失效模式分析经典课件 星级: 39 页 IGBT的芯片结构及其失效模式分析 星级: 39 页 2025年IGBT芯片结构解析与失效机理探究 星级: 38 页 IGBT的几种失效模式.docx 星级: 4 页 IGBT...
电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。 2023-10-19 11:12:44 深圳芯能半导体获IGBT芯片专利,创新接触孔连接ESD结构提升安全性 此次专利的申请日期为2023年8月22日,授权公示日为2024年3月26日,授权公告号为CN116779666B。此项专利主要涉及的新型IGBT芯片结构,其...
IGBT通常用于电力电子设备,例如功率放大器、变频器、PWM调光系统和电力逆变器等。 1.n+沟道层:该层是n+型硅材料,沟道层是整个IGBT功率器件的关键部分。当沟道层中施加适当的电压时,沟道中就会有电流流过。 2. p芯片层:该层是p型硅材料,用于形成pn结。当沟道层中有电流流过时,pn结就会打开。 3.n-终止层:...
龙腾半导体申请具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法专利，可提升功率芯片性能和可靠性 金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，龙腾半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有双场阻止层的 RC-IGBT 结构及其制造方法”的专利，公开号 CN 119743997 A，申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要...
综上所述,传统的功率晶体管在效率和速度方面存在一些限制,而IGBT芯片通过结合MOSFET和BJT的优点,解决了这些问题。因此,IGBT芯片被广泛应用于需要高效、高速开关能力的领域,例如电力传输、工业控制和新能源领域。 结构特点: PT-IGBT采用 P 型直拉单晶硅作为衬底,在此之上依次生长N+ buffer,N-base外延,最后在外延层表...
金融界2024年11月19日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市齐飞半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT芯片结构”的专利,授权公告号CN 222015394 U,申请日期为2024年4月。 专利摘要显示,本实用新型公开了一种IGBT芯片结构,包括芯片本体,所述芯片本体镶嵌固定芯片加强结构的内部;芯片加强结构包括外衬套,且外衬套的内部开设...
本发明提供一种沟槽IGBT芯片版图结构,包括:若干个沿互相垂直的第一方向及第二方向排布的沟槽型IGBT芯片;每个沟槽型IGBT芯片包括一个元胞结构,每个元胞结构中形成有若干条互相平行的栅沟槽,且栅沟槽的方向沿第一方向或第二方向;沿第一、第二方向排布的相邻两个沟槽型IGBT芯片的栅沟槽的方向互相垂直。通过将晶圆上IGB...