【p-Si(110)衬底上蒸发生长PTCDA薄膜的生长方式的XRD表征】我们用XRD对p-Si(110)衬底上蒸发沉积的不同厚度的PTCDA薄膜进行了性能表征。XRD测试结果表明PTCDA在p-Si(110)面上均以晶体方式生长。随蒸发时间变化,即随着PTCDA薄膜的厚度增加,在生长的薄膜中出现了α型和β型两种并存的PTCDA。不同衬底温度下生长的...
我们用XRD对p-Si(110)衬底上蒸发沉积的不同厚度的PTCDA薄膜进行了性能表征.XRD测试结果表明PTCDA在p-Si(110)面上均以晶体方式生长.随蒸发时间变化,即随着PTCDA薄膜的厚度增加,在生长的薄膜中出现了α型和β型两种并存的PTCDA.不同衬底温度下生长的PTCDA薄膜的生长方式为α,β型的共存的PTCDA.生长的PTCDA薄膜都是...
例如，通过Sr变质调控Al-12Si合金中的共晶Si相形貌，可以使合金的热导率提升至110W/（m∙K），比未变质的合金提高了20%。同时，研究发现α-Al枝晶形态向等轴晶的转变有助于形成电子输运通道，减少电子散射。值得注意的是，尽管元素固溶会增强电子散射，但合金元素也会影响共晶Si及α-Al等结构组织。因此，通过...
使用晶体作为背景板,得到的 XRD 图是绝对干净的(X 射线上没有衍射)。即使在非常低的强度下,也可以很轻易地探测到样品的布拉格反射。零背景衍射板是粉末 XRD 完美的样品支架(在10 ~ 120°(2θ角Cu Ka)无背景噪声),且与大多数 XRD 设备兼容。 同时Alpyx 还可以提供晶体维修服务 北京众星联恒科技有限公司作为...
47 对于XRD来说没有哪个晶面的景格常数这个说法。那就是晶格常数都是相同的？为什么建立在XRD来说？
这意味着PS层有利于在薄膜中形成平坦的PHB薄片,而PVPh层则鼓励形成边缘薄片。对于 110 nm 的 PHB 薄膜,在 PS 层下方的较低结晶温度下会出现边缘薄片。相比之下,在较高的结晶温度下,在PVPh层下没有发现边缘薄片。 1.Charlotte,Basire,Dimitri,et al.Evolution of the Lamellar Structure during Crystallization ...
下图为作者采用XRD手段分析的几种材料的晶体结构,从图中能够看到商业SiO材料在XRD图谱中展现了两个宽阔的峰,表明其无定形结构,而球磨6h的样品我们能够看到明显的晶体Si尖锐的特征峰,随着球磨时间的增加,这些特征峰的强度逐渐降低,并且特征峰也开始变的宽阔,这表明Si和SiO2开始反应生成SiOx材料,但是不同与前面XPS和NMR...
【图3】P-Si/C@ C的(a)XRD图,(b)拉曼光谱,(c)TG曲线,(d)颗粒分布,(e)氮吸附/解吸等温线,以及(f)BJH孔径分布。 图3a中表明复合材料的无定形碳含量增加。P-Si/C@C没有观察到NaCl衍射峰,表明P-Si/C@C中的NaCl可以通过水洗完全去除。热重分析结果显示,P-Si/C@C微球中非晶C的百分比为53.8%(重量...
产品名称 Si无衍射基板(可打圆孔) 产品简介 无衍射基板是用Si单晶做成,作为样品载样台,在20到110度没有背景噪音 XRD图谱 产品规格 常规尺寸:18x20x2mm、dia24.6x1mm; 抛光情况:单抛、双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注:可按照客户要求加工圆片或者方片