SGT器件结构是指一种半导体器件的结构,SGT即Source-Gated Transistor。它在传统晶体管的基础上进行了改进,引入了源极控制门极的结构,使得器件在工作时能够更快速、更可靠地响应信号。SGT器件结构主要由源极、漏极、栅极、控制源极和衬底组成,其中控制源极用于控制源极与栅极之间的电场,从而实现对漏极电流的控制。与...
SGT(split-gate-trench,分裂栅极沟槽)结构因其具有电荷耦合效应,在传统沟槽mosfet垂直耗尽(p-body/n-epi结)基础上引入了水平耗尽,将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布。在采用同样掺杂浓度的外延规格情况下,器件可以获得更高的击穿电压,该结构在中低压功率器件领域得到广泛应用。 MOS器件第一个深沟槽(Deep Trenc...
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种SGT结构及其制作方法。其中结构包括:沟槽,由半导体衬底的上表面向下延伸;沟槽下部空间的内表面上覆盖有屏蔽介质层,屏蔽介质层包围形成第一容置空间;源极多晶硅,填充第一容置空间,且源极多晶硅的顶端外露于第一容置空间;第一隔离介质层,覆盖在源极多晶硅外露部分两侧...
SGTMOS(Split-Gate-Trench MOS)结构的特点主要包括以下几点: 1.采用了深沟槽结构,使得其比普通沟槽工艺更加简单,开关损耗更小。 2.SGTMOS结构比普通沟槽工艺深3-5倍,在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽,可以利用更多的外延体积来阻挡电压,漂移区临界电场强度比较小,因此SGT的内阻比普通MOSFET低...
1.一种sgt结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括: 2.根据权利要求1所述的sgt结构的制备方法,其特征在于,在步骤2)中,所述第一刻蚀工艺为高选择比各向同性干法刻蚀。 3.根据权利要求1所述的sgt结构的制备方法,其特征在于,在步骤3)中,所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀。
1.一种sgtmosfet器件结构,其特征在于,该器件结构为双层浓度的外延结构,包括用于降低器件比导通电阻的顶部外延层(3)和用于降低器件反偏漏电的底部外延层(4)。 2.根据权利要求1所述的sgtmosfet器件结构,其特征在于,所述顶部外延层(3)和所述底部外延层(4)均为n-外延层,顶部外延层(3)的掺杂浓度n满足以下条件:nep...
1.一种新型的sgt制作方法,其特征在于,包括如下步骤: 2.一种新型的sgt结构,其特征在于:所述一种新型的sgt结构由权利要求1所述的一种新型的sgt制作方法制成。 技术总结 本发明公开了一种新型的SGT制作方法,包括如下步骤:使用光刻工艺曝光第二沟槽,即栅极沟槽图形;使用干法刻蚀工艺刻蚀出沟槽,沟槽宽度为0.2um～0.35...
SGT结构相对传统的Trench结构,沟槽挖掘深度深3-5倍,可以横向使用更多的外延体积来阻止电压,显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance),例如相同的封装外形TO-252或TO-263封装,采用SGT芯片技术,可以得到更低的导通电阻。 如下图锂电保护控制板①处所示 ...
1.一种sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法,其特征在于,所述sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法包括以下步骤: 2.如权利要求1所述的sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法,其特征在于,所述保护环槽的环宽为2um至3um。 3.如权利要求1所述的sgt mos器件的终端保护环结构的制造方法,其特征在于,所述终端...
主权项:1.一种SGT结构,其特征在于,所述SGT结构包括:沟槽,所述沟槽位于器件基底层的中,包括由上至下依次连接的上部、中部和下部;场氧结构,所述场氧结构覆盖在所述沟槽的下部表面;覆盖有所述场氧结构的所述沟槽的下部形成源多晶硅容置空间,所述源多晶硅容置空间的宽度由上至下逐渐增大;源多晶硅结构,所述源多晶硅...