型号: SGN2729-250H-R 封装: IC 批号: 22+ 数量: 1000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 1.4mm 宽度: 7mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也...
型号 SGN2729-250H-R 名称 氮化镓晶体管 产地 日本 封装 SMT --- 产品详情 --- SGN2729-250H-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。 型号规格 厂家Sumitomo Electri...
SGN1214-220H-R SGN21-120H-R SGN2729-250H-R SGN2729-600H-R SGN2731-120H-R SGN2731-130H-R SGN2731-500H-R SGN3035-150H-R SGNE070MK SGNE090MK SGNE045MK SGNE030MK SGFCF2002S-D SGNH130M1H
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN2729-250H-R 是一款射频晶体管,频率 2.7 至 2.9 GHz,功率 53.97 至 55.05 dBm,功率 (W) 250 至 320 W,功率增益 (Gp) 13 至 14 dB,VSWR 10.00: 1. 标签:法兰。SGN2729-250H-R 的更多详细信息见下文。 产品规格 产品详情 零件号 SGN2729-250H-R 制造商 ...
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Eudyna 型号SGN2729-250H-R 名称 氮化镓晶体管 产地 日本 ...
SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件,占空比高达10%。 高压操作:VDS = 50V 大功率:250W(最小)@ Pin = 12.6W(41dBm) 高效率:65%(Typ。)@ Pin = 12.6W(41dBm) ...
SGN2729-250H-R Mounting Type SMT Description 2.7-2.9 GHz gain GaN on SiC HEMT Voltage - Input 1.33VDC Voltage - Load 0 V ~ 40 V On-State Resistance (Max) 150 mOhms Load Current 2.5 A Relay Type Solid-state relay Series TLP3554 ...