型号 SGN2729-250H-R 名称 氮化镓晶体管 产地 日本 封装 SMT --- 产品详情 --- SGN2729-250H-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。 型号规格 厂家Sumitomo Electri...
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN2729-250H-R 是一款射频晶体管,频率 2.7 至 2.9 GHz,功率 53.97 至 55.05 dBm,功率 (W) 250 至 320 W,功率增益 (Gp) 13 至 14 dB,VSWR 10.00: 1. 标签:法兰。SGN2729-250H-R 的更多详细信息见下文。 产品规格 产品详情 零件号 SGN2729-250H-R 制造商 ...
SGN2729-250H-R 以实际报价为准。QQ热线 ￥0 ￥0 数量: - + 产品详情 数据手册下载 参数配置 产品视频 适用范围 频率(GHz) 2.7-2.9 条件 Pulse width:200µsec, Duty 10% 输出功率 (W) 250 Gp (dB) 13 ηadd (%) 65 漏源电压 (V) 50 沟道电流(DC) (mA) 750 热阻Rth(°C/W) 1.1...
SGN1214-220H-R SGN21-120H-R SGN2729-250H-R SGN2729-600H-R SGN2731-120H-R SGN2731-130H-R SGN2731-500H-R SGN3035-150H-R SGNE070MK SGNE090MK SGNE045MK SGNE030MK SGFCF2002S-D SGNH130M1H
SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件,占空比高达10%。 高压操作:VDS = 50V 大功率:250W(最小)@ Pin = 12.6W(41dBm) 高效率:65%(Typ。)@ Pin = 12.6W(41dBm) ...