Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R为s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性,具有50V操作和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件,占空比高达10%。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGN2731-500L-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IV 型号参数 高功率:550...
型号: SGN2731-500L-R 立即咨询 --- 产品参数 --- 厂家 Sumitomo Electric Device Innov 型号 SGN2731-500L-R 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装 IV --- 产品详情 --- SGN2731-500L-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R为s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大...
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R为s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性,具有50V操作和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件,占空比高达10%。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 型号SGN2731-500L-R 名称IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管 产地 日本 封装IV 型号参数 高功率:550...
型号 SGN2731-500L-R 进口品牌功率管(内匹配、外匹配)、功放芯片、功放模块等国产替代方案解决商! 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完...