Sumitomo的GaN HEMTSGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。 型号规格 厂家Sumitomo ElectricEudyna 型号SGN2729-250H-R 名称氮化镓晶体管 产地 日本 封装SMT 型号参数 高压操作:VDS=50V 高功率:250W(最小)@...
Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN2729-250H-R 是一款射频晶体管,频率 2.7 至 2.9 GHz,功率 53.97 至 55.05 dBm,功率 (W) 250 至 320 W,功率增益 (Gp) 13 至 14 dB,VSWR 10.00: 1. 标签:法兰。SGN2729-250H-R 的更多详细信息见下文。 产品规格 产品详情 零件号 SGN2729-250H-R 制造商 ...
SGN2729-250H-R 型号简介 Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Eudyna 型号SGN2729-250H-R ...
SG36F30S-D 基站用晶体管 SGN350H-R 氮化镓晶体管 SGN1214-220H-R 氮化镓晶体管 SGN21-120H-R 氮化镓晶体管 SGN2729-250H-R 氮化镓晶体管 SGN2729-600H-R 氮化镓晶体管 SGN2731-120H-R 氮化镓晶体管 SGN2731-130H-R 氮化镓晶体管 SGN2731-500H-R 氮化镓晶体管 SGN3035-150H-R 氮化镓晶体管 SGNE070...
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性,覆盖2.7至2.9 GHz,工作电压为50V,脉冲条件高达200µsec,脉冲宽度和占空比高达10%。 型号规格 厂家Sumitomo Electric Eudyna 型号SGN2729-600H-R 名称 氮化镓晶体管 产地 日本 封装SMT 型号参数 高功率:600W(最小)@引脚=...
￥0 数量: - + 产品详情 数据手册下载 参数配置 产品视频 适用范围 频率(GHz) 2.7-2.9 条件 Pulse width:200µsec, Duty 10% 输出功率 (W) 250 Gp (dB) 13 ηadd (%) 65 漏源电压 (V) 50 沟道电流(DC) (mA) 750 热阻Rth(°C/W) 1.1上一篇:SGN21-120H-R下一篇:SGN2729-600H-R 相关...