一、型号与后缀差异 SCT30N120是基础型号,没有额外的后缀或特定标识。 SCT30N120A2GA则是在SCT30N120的基础上,增加了A2GA的后缀,这通常表示该器件可能经过了特定的改进、优化或满足特定的应用需求。 二、性能与参数 虽然两者都是1200V、45A的碳化硅功率MOSFET,但SCT30N120A2GA可能在某些性能参数上有所优化或调...
SCT30N120 ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS SCT30N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V查看详情 TO-247-3 14周 在产 2005年 ¥149.406 数据手册(15) 器件3D模型 规格参数
产品详情 型号 GSCT30N120 阻断电压 1200 V 阻抗Ron 90mΩ 额定电流 45A 封装 TO-247-3 产品优势 650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅(SiC)MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装,性能可靠且经济高效 SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅...
:SCT30N120输出特性 (Tj = 25 °C) SiC MOSFET 基本上与 Si MOSFET 或 IGBT 的电压电平一起工作,但不是最佳参数。理想情况下,SiC MOSFET 在其 zhuzb07542023-02-24 15:03:59 有人可以为SCT10N120SiC MOSFET提供spice模型吗 SCT10N120的spice模型用于multisim仿真以上来自于谷歌翻译以下为原文 spice model ...
SCT30N120产品信息: 描述该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247 封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的...
型号:SCT30N120 品牌:ST 封装:TO247 描述:晶体管: N-MOSFET; SiC; 单极; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W; HIP247™ 国内价格 1+181.96978 2+172.05199 3+172.04001 30+165.20058 库存:29 去购买 型号:SCT30N120 品牌:ST 封装:TO247 描述:碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150...
> sct30n120 datasheet pdf $ 20.607 sct30n120 datasheet pdf - st microelectronics manufacturer : st microelectronics category : mosfets case package : to-247-3 description : power mosfet, n channel, 40a, 1.2kv, 0.08Ω, 20v, 2.6v pictures: 3d model symbol footprint pinout product pictures ...
SCT30N120 - 碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装, SCT30N120, STMicroelectronics
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数据表 SCT30N120.pdf sct3080kl-e.pdf RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 Rds On(Max)@Id,Vgs - 104mΩ@10A,18V 漏源极电压Vds - 1200V Pd-功率耗散(Max) - 165W(Tc) 栅极电压Vgs - +22V,-4V FET类型 - N-Channel 封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3 连续漏极电流Id - 31A(Tc) 工作...