sct30n120原装正品电子元器件,一站式采购平台 -- -- -- -- 面议 深圳市茂兴伟业科技有限公司 -- 立即询价 SCT30N120 场效应管 ST/意法 封装TO-247 批次22+ SCT30N120 17830 ST/意法 TO-247 22+ ￥18.0003元100~499 个 ￥15.0003元500~999 个 ...
型号: SCT30N120 封装: PowerSSO-36 批号: 22+ 数量: 5000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V 不同Id、Vgs 时导通电阻...
电子管-场效应管-SCT30N120-ST/意法半导体-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准...
系列 SCT30N120H 晶体管类型 1 N-Channel 商标 STMicroelectronics 下降时间 28 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 20 ns 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 19 ns 单位重量 1.380 g 可售卖地 全国 型号 SCT30N120H PDF资料 三极管-其他三极管-SCT30...
电子管-场效应管-SCT30N120-ST/意法半导体-HiP-247-3.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价...
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该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常...
SCT30N120批量生产 储存到myST 碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 特别推荐 描述 该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导...
SCT30N120 场效应管 ST/意法半导体 阳极电压 输出功率 价格 ¥ 1.11 ¥ 1.06 ¥ 0.91 起订数 1个起批 10个起批 100个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 AX210.NGWG.NVX 电子元器件 INTEL/英特尔 批次22+ ¥ 0.87 STM32G030C8T6 电子元器件 ST/意法半导体 批次22+ ...
型号: SCT30N120 批号: new 封装: SCT30N120 数量: 505 QQ: 1579248160 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: HiP-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV Id-连续漏极电流: 45 A Rds On-漏...