SCT30N120H批量生产 储存到myST Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 80 mOhm typ., 45 A in an H2PAK-2 package 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 质量与可靠性 产品概述工作机会 样片和购买 在线订购 Contact our sales offices & distributors 支持和社区 支持中心 ...
制造商ST(意法半导体) 唯样编号C-SCT30N120H 供货海外代购M代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...
产品详情 型号 GSCT30N120 阻断电压 1200 V 阻抗Ron 90mΩ 额定电流 45A 封装 TO-247-3 产品优势 650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅(SiC)MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装,性能可靠且经济高效 SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅...
SCT30N120H由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SCT30N120H 价格参考￥ 0 。 ST SCT30N120H 封装/规格: H2PAK-2, SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2。你可以下载 SCT30N120H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有未分类详细引脚图及功能的应用电路图电压和...
SCT30N120.pdf Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf RoHs不符合RoHs无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值)-115W(Tc) 技术-SiCFET(碳化硅) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)-707pF @ 800V FET类型-N 通道 封装/外壳TO-247-3TO-247-3 ...
优势价格,SCT30N120H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。购买、咨询产品请填写询价信息 询价型号*数量*批号封装品牌其它要求请确认联系方式,3分钟内即可给您回复 *姓名: *电话: Q Q: *邮箱: 提交询价信息 详细参数 制造商:STMicroelectronics 产品种类:MOSFET 系列:SCT30N120H 商标:ST...
制造商ST(意法半导体) 唯样编号G-SCT30N120H 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...