系列 SCT30N120H 晶体管类型 1 N-Channel 商标 STMicroelectronics 下降时间 28 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 20 ns 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 45 ns 典型接通延迟时间 19 ns 单位重量 1.380 g 可售卖地 全国 型号 SCT30N120H PDF资料 三极管-其他三极管-SCT30...
功率晶体管 宽带隙晶体管 STPOWER碳化硅MOSFET SCT30N120H SCT30N120H批量生产 储存到myST Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 80 mOhm typ., 45 A in an H2PAK-2 package 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 ...
系列: SCT30N120H 批号: 2022+ 产品说明: 原装 包装: 原盘 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形...
SCT30N120H 由ST 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SCT30N120H 价格参考￥ 0 。 ST SCT30N120H 封装/规格: H2PAK-2, SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2。你可以下载 SCT30N120H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 未分类 详细引脚图及功能的应用电...
制造商编号 SCT30N120H 制造商 ST(意法半导体) 唯样编号 C-SCT30N120H 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操...
产品详情 型号 GSCT30N120 阻断电压 1200 V 阻抗Ron 90mΩ 额定电流 45A 封装 TO-247-3 产品优势 650V/900V/1200V/1700V SupSiC™ MOSFET & SBD– 碳化硅(SiC)MOSFET&SBD 采用 TO220-2 TO247-2 TO247-3 TO247-4 TO263-7引脚封装,性能可靠且经济高效 SUPSiC™ MOSFET &SBD 碳化硅...
数据表 SCT30N120.pdf Infineon-IMW120R090M1H-DS-v01_01-EN.pdf RoHs 否 无铅/符合RoHs 规格信息 功率耗散(最大值) - 115W(Tc) 技术 - SiCFET(碳化硅) 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 707pF @ 800V FET类型 - N 通道 封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3 不同Id时Vgs(th)(最大值) -...
制造商ST(意法半导体) 唯样编号G-SCT30N120H 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...