SCT30N120 数据手册Datasheet PDFSilicon carbide Power MOSFET: 45 A, 1200 V, 90 m (typ., TJ=150 °C), N-channel in HiP247™13 页,830 KB2013-02-14查看 SCT30N120 产品设计参考手册68 页,3468 KB2017-09-15查看 SCT30N120 其他数据使用手册Comparative analysis of driving approach and perfo...
点击此处查询SCT30N120H的技术规格手册Datasheet(PDF文件) 全球现货资源整合,最快当日出货,满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求! ST意法半导体全球授权代理商现货库存实时更新中,欢迎询价 ST公司是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商,世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商 ...
datasheet Brand MOSFET Current - Collector (Ic) (Max) N/A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) N/A Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic N/A Current - Collector Cutoff (Max) N/A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce N/A ...
SCT30N120由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SCT30N120 价格参考￥ 0 。 ST SCT30N120 封装/规格: TO247, MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247。你可以下载 SCT30N120 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教...
SCT30N120H由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SCT30N120H 价格参考￥ 0 。 ST SCT30N120H 封装/规格: H2PAK-2, SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2。你可以下载 SCT30N120H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有未分类详细引脚图及功能的应用电路图电压和...