SCT30N120 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247™ package Datasheet - production data Features Very tight variation of on-resistance vs. temperature Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C...
SCT30N120 数据手册Datasheet PDFSilicon carbide Power MOSFET: 45 A, 1200 V, 90 m (typ., TJ=150 °C), N-channel in HiP247™13 页,830 KB2013-02-14查看 SCT30N120 产品设计参考手册68 页,3468 KB2017-09-15查看 SCT30N120 其他数据使用手册Comparative analysis of driving approach and perfo...
SCT30N120 价格参考￥ 12.05 。 ST SCT30N120 封装/规格: TO247, MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247。你可以下载 SCT30N120 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs 详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版: SCT30N120...
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Package Type:Surface Mount;Application:MOSFET driver;Supplier Type:original manufacturer;Media Available:datasheet;FET Feature:Standard;Operating Temperature:Standard;Series:all type of transistor;Mounting Type:SMT/SMD;Description:MOSFET;Model Number:SCT
SCT30N120H由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 SCT30N120H 价格参考￥ 0 。 ST SCT30N120H 封装/规格: H2PAK-2, SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2。你可以下载 SCT30N120H 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有未分类详细引脚图及功能的应用电路图电压和...