SC-75-3 22+ ￥0.7100元1~9 PCS ￥0.6100元10~99 PCS ￥0.5100元>=100 PCS 深圳市航晟辉科技有限公司 3年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 2SK1830-VB晶体管MOS管SC75-3封装场效应管微碧半导体批量可谈 2SK1830-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 SC75-3 24+ ￥1.0000元1~-- PCS 深圳市微碧半导...
DAN222T1G 整流二极管 ON/安森美 封装SC-75-3 批次2023+ DAN222T1G 5000 ON/安森美 SC-75-3 2023+ ￥1.0409元1~9 个 ￥0.9909元10~99 个 ￥0.8409元>=100 个 深圳市亚泰盈科电子有限公司 6年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 NTA4151PT1H 场效应管 ON/安森美 封装SC-75-3 批次21+ ...
封装 SC-75-3 批号 22+ 数量 5000000 制造商 ONSemiconductor 产品种类 二极管-通用,功率,开关 RoHS 是 封装/箱体 SC-75-3 峰值反向电压 100V 最大浪涌电流 0.5A If-正向电流 200mA Vf-正向电压 1.25V Ir-反向电流 1uA 长度 1.6mm 宽度 0.8mm 高度 0.75mm 单位重量 2g 可售卖...
型号:S2SA1774G 封装/规格:SC-75-3 产品类型:三极管 品牌/产地:ON(安森美) 三极管类型:PNP 型号PN:S2SA1774G 描述:晶体管类型 PNP 集电极电流IC 100MA 集射极击穿电压VCE 50V 额定功率 150MW 样品: 1-9个2.318699 10-99个2.118857 批量: 100-499个1.933430 ...
NTE4153NT1G详细参数说明 - 极性 N沟道- 额定电压 20V- 额定电流 1A- 导通电阻 200mΩ @ 4.5V, 230mΩ @ 2.5V- 门源电压 12Vgs (±V)- 阈值电压 0.6Vth (V)- 封装类型 SC75-3应用简介 NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性,能够提供可...
**2N7002BKT-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,采用SC75-3封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和20V(±)的栅源电压(VGS)。其开启阈值电压(Vth)为1.7V,导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为4.5V时为2000mΩ,在栅源电压为10V时为1200mΩ,最大漏极电流(ID)为0.33A。采用Trench技术,适用于低功率应用...
FDY300NZ-NL-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),封装为SC75-3。该器件在电源开关、电源管理、和其他需要N型沟道的低压应用中有着广泛的应用。详细参数说明: 1. **沟道类型:** N—Channel,适用于需要N型沟道的低压电源开关和管理电路设计。 2. **最大耐压:** 20V,适用于低压电路。
封装/规格: SC75-3 包装: 编带 最小包装量: 2500 产品特性: 大功率 封装: SC75-3 包装方式: 编带 可售卖地: 全国 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 数量: 9999 产品保证: 原装 产地: 中国 批号: 24+ FET类型: 增强型 安装方式: 贴片 MOS管FDY101PZ-NL-VB SC75-3...
VBsemi 2SK3546J-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用SC75-3封装,适用于各种低电压和低功率应用。该器件采用了沟槽技术(Trench Technology),具有较低的导通电阻和高的开关速度,适用于要求高效率和高可靠性的电源管理和电路控制应用。 ### 二、详细参数说明 ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 三极管 、 其他三极管 商品关键词 DTC115EET1G、 ON(安森美)、 SC-75-3 商品图片 商品参数 品牌: ON(安森美) 封装: SC-75-3 批号: 22+ 数量: 3183 制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 预偏置 RoHS: 是 配置: Single 晶体管极性: NPN...