高压船用电缆CJ86/SC EMC2x0.75电压1.8/3KV长峰电缆专业生产价格优惠 CJ86/SCEMC -- 长峰 -- ￥5.9000元>=100 米 安徽长峰特种电缆有限公司 6年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 NTA4153NT1G 场效应管 ON/安森美 封装SC75-3 批号22+
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明:N沟道,20V,1A,导通电阻200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压0.6V,封装:SC75-3。应用简介:DMG1012T适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块,...
FDY300NZ-NL-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),封装为SC75-3。该器件在电源开关、电源管理、和其他需要N型沟道的低压应用中有着广泛的应用。详细参数说明: 1. **沟道类型:** N—Channel,适用于需要N型沟道的低压电源开关和管理电路设计。 2. **最大耐压:** 20V,适用于低压电路。
5LN01S-VB 是一款单 N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用SC75-3封装,适用于低功率应用场合,具有低静态功耗和高效能特性。 ### 5LN01S-VB 详细参数说明 - **封装形式**: SC75-3 - **配置**: 单 N-沟道 - **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V - **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V ...
2SJ648-VB 是一款单一 P 通道 MOSFET,封装形式为 SC75-3。该型号采用 Trench 技术制造,具有较低的导通电阻和良好的开关特性,适用于低功率电路设计。其最大漏源电压(VDS)为 -20V,最大栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为 -0.8V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 540mΩ,在 VGS=10V 时为 450...
SSM3J36FS(VBTA2245N)是一款P沟道MOS型晶体管,采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ,在2.5V时为500mΩ。其门源阈值电压为-0.45V,工作电压范围为12Vgs(±V)。 该产品适用于多个应用领域。其中,一个应用领域是低功耗电子设备,该设备需要具备低...
封装: SC-75-3 批号: 23+ 数量: 200000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-75-3 晶体管极性: PNP 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V 集电极—基极电压 VCBO: - 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO...
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- 封装类型:SC75-3 应用简介: NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。 通过控制12Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现对电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗,提高系统效率...
VBsemi的2N7002T-7-F-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造,具有低漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于低压低功率应用,如电源管理、信号开关和驱动器。2N7002T-7-F-VB采用SC75-3封装,体积小巧,适合于需要高集成度和小尺寸的电路设计。