高压船用电缆CJ86/SC EMC2x0.75电压1.8/3KV长峰电缆专业生产价格优惠 CJ86/SCEMC -- 长峰 -- ￥5.9000元>=100 米 安徽长峰特种电缆有限公司 6年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 NTA4153NT1G 场效应管 ON/安森美 封装SC75-3 批号22+
VBsemi/微碧半导体 SC75-3 24+ ￥1.0000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 DTC114YET1G 双极晶体管 ON/安森美 封装SC-75-3 批次2248+ DTC114YET1G 3000 ON/安森美 SC-75-3 2248+ ￥0.7400元100~499 个 ...
封装: SC-75-3 批号: 22+ 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 二极管类型: 标准 电流- 平均整流 (Io): 200mA 速度: 小信号 lt; 200mA(Io),任意速度 不同Vr、F 时电容: 2pF @ 0V,1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-75,SOT-416 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 电压- DC 反...
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明:N沟道,20V,1A,导通电阻200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压0.6V,封装:SC75-3。应用简介:DMG1012T适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块,...
**2N7002BKT-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi生产,采用SC75-3封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压(VDS)和20V(±)的栅源电压(VGS)。其开启阈值电压(Vth)为1.7V,导通电阻(RDS(ON))在栅源电压为4.5V时为2000mΩ,在栅源电压为10V时为1200mΩ,最大漏极电流(ID)为0.33A。采用Trench技术,适用于低功率应用...
VBsemi 2SK3546J-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用SC75-3封装,适用于各种低电压和低功率应用。该器件采用了沟槽技术(Trench Technology),具有较低的导通电阻和高的开关速度,适用于要求高效率和高可靠性的电源管理和电路控制应用。 ### 二、详细参数说明 ...
封装/规格:SC-75-3 封装类型: 产品类型: 三极管 品牌/产地:ON(安森美) 三极管类型:PNP 型号PN:S2SA1774G 描述:晶体管类型 PNP 集电极电流IC 100MA 集射极击穿电压VCE 50V 额定功率 150MW 商品评价 0% 好评度 好评(0%) 中评(0%) 差评(0%) ...
SSM3J36FS(VBTA2245N)是一款P沟道MOS型晶体管,采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ,在2.5V时为500mΩ。其门源阈值电压为-0.45V,工作电压范围为12Vgs(±V)。 该产品适用于多个应用领域。其中,一个应用领域是低功耗电子设备,该设备需要具备低...
2SK2825-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管 ### 产品简介 2SK2825-VB 是一款采用 SC75-3 封装的单 N 沟道 MOSFET。该器件具有 20V 的漏源电压 (VDS) 和±12V 的栅源电压 (VGS),适用于低功率开关和控制应用。其采用了 Trench 技术,具有低导通电阻 (RDS(ON)) 和适中的电流处理能力。
- 封装类型:SC75-3应用简介:NTE4153NT1G是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和低功率应用。它具有适中的额定电压和额定电流特性,能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制12Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现对电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗,提高系统效率。NTE...