NTA4151PT1G 场效应管 ON/安森美 封装SC-75-3 批次22+ NTA4151PT1G 15000 ON/安森美 SC-75-3 22+ ￥0.5700元1~9 个 ￥0.4880元10~999 个 ￥0.4030元>=1000 个 深圳市欧瑞芯电子有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 NTA4153NT1G 场效应管 ON/安森美 封装SC75-3 批号22+ ...
VBsemi/微碧半导体 SC75-3 24+ ￥1.0000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 DTC114YET1G 双极晶体管 ON/安森美 封装SC-75-3 批次2248+ DTC114YET1G 3000 ON/安森美 SC-75-3 2248+ ￥0.7400元100~499 个 ...
DMG1012T (VBTA1220N)参数说明:N沟道,20V,1A,导通电阻200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V),阈值电压0.6V,封装:SC75-3。应用简介:DMG1012T适用于低功率应用,如信号开关和电流控制。其低导通电阻和小封装有助于降低功率损耗和节省空间。适用领域与模块:适用于低功率信号开关、电流控制和模拟开关等领域模块,...
VBsemi 2SK3546J-VB是一款高性能单N沟道功率MOSFET,采用SC75-3封装,适用于各种低电压和低功率应用。该器件采用了沟槽技术(Trench Technology),具有较低的导通电阻和高的开关速度,适用于要求高效率和高可靠性的电源管理和电路控制应用。 ### 二、详细参数说明 | 参数名称 | 参数值 | |---|---| | 封装类型 ...
封装/规格:SC-75-3 封装类型: 产品类型: 三极管 品牌/产地:ON(安森美) 三极管类型:PNP 型号PN:S2SA1774G 描述:晶体管类型 PNP 集电极电流IC 100MA 集射极击穿电压VCE 50V 额定功率 150MW 商品评价 0% 好评度 好评(0%) 中评(0%) 差评(0%) ...
NTA7002NT1G-VB是一款N沟道MOSFET,采用SC75-3封装,适用于智能电话、平板电脑等设备的DC/DC转换器、升压转换器以及负载开关和OVP(过电压保护)开关等应用。这款MOSFET以其高效能和紧凑的封装尺寸为特点。 NTA7002NT1G-VB的主要特性包括TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,旨在降低导通电阻(RDS(on)),提高效率并...
封装: SC-75-3 批号: 23+ 数量: 200000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-75-3 晶体管极性: PNP 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: - 50 V 集电极—基极电压 VCBO: - 60 V 发射极 - 基极电压 VEBO...
LRC 贴片稳压二极管 LM3Z11VT1G 丝印 0M SOD323 原装 新年份 ¥ 0.10 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: ON/安森美 包装: 卷 最小包装量: 3000 封装/规格: SC-75-3 封装: SC-75-3 批号: 新年份 数量: 120000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
SSM3J36FS(VBTA2245N)是一款P沟道MOS型晶体管,采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ,在2.5V时为500mΩ。其门源阈值电压为-0.45V,工作电压范围为12Vgs(±V)。 该产品适用于多个应用领域。其中,一个应用领域是低功耗电子设备,该设备需要具备低...
封装: SC75-3 批号: 2021+ 数量: 5660 制造商: Semtech 产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极管 RoHS: 是 极性: Unidirectional 工作电压: 5 V 通道数量: 2 Channel, 1 Channel 端接类型: SMD/SMT 封装/ 箱体: SC-75-3 击穿电压: 6 V 钳位电压: 25 V Vesd - 静电放电电压触点: 8 kV Vesd - 静电放...