近日,中科院沈阳自动化研究所的苑明哲研究员课题组结合原位掺杂和热氧化刻蚀处理技术,制备了S掺杂的二维g-C3N4纳米片,用于酚降解和水分解制氢。原位S掺杂技术有利于在催化剂中引入表面N缺陷和O物种。相应地,2D-SCN-3h表现出很强的载流子分离效率和氧化还原性能。在模拟太阳光照射下,氢气产率可达 127.4 μmol/h。 1...
值得注意的是,S-g-C3N4-D具有最佳的光催化HER活性,最高的析氢速率为5651.5 μ mol g-1h-1,这有力地证实了N缺陷和S掺杂同时整合到g-C3N4纳米结构中可以有效地促进催化剂的光催化HER过程。更重要的是,制备的S-g-C3N4-D的HER光催化活性甚至超过了其他先前报道的大多数的缺陷和杂原子掺杂的g-C3N4基无金属光...
近日,西安工程大学李云锋副教授、东北师大邢艳教授以及长春应化所宋术岩研究员以硫代乙酰胺为硫源和封端剂,首次制备了带隙可调的S掺杂端甲基化g-C3N4纳米片(SMCN)。实验结果和DFT计算表明,在Melon骨架中引入甲基不仅可以在聚合反应中起到封端基团的作用,产生结构边缘缺陷,降低S原子掺杂的能量势垒。而且在甲基化的Melo...
近日,西安工程大学李云锋副教授、东北师大邢艳教授以及长春应化所宋术岩研究员以硫代乙酰胺为硫源和封端剂,首次制备了带隙可调的S掺杂端甲基化g-C3N4纳米片(SMCN)。实验结果和DFT计算表明,在Melon骨架中引入甲基不仅可以在聚合反应中起到封端基团的作用,产生结构边缘缺陷,降低S原子掺杂的能量势垒。而且在甲基化的...
4、所述s、k共掺杂g-c3n4纳米片制备方法为: 5、步骤1,将三聚硫氰酸和钾盐进行混合研磨,得到前驱体后进行煅烧; 6、步骤2,将冷却后的煅烧产物进行研磨,然后加入分散剂,进行超声处理,反应结束后进行离心分离收集沉淀,沉淀经洗涤干燥并研磨,制备得到s、k共掺杂g-c3n4纳米片,即为skcn光催化剂。
一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法说明:本发明公开了一种S、P掺杂的g‑C3N4管中管及其制备方法,其制备过程为:将三聚氰胺、磷酸二氢...专利查询请上爱企查
b共掺杂g-c3n4光催化剂的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将三聚氰胺、4-巯基苯硼酸加入到氨水溶液当中进行自组装,之后放入烘箱中进行干燥,得自组装固体;(2)将步骤(1)中所述自组装固体进行研磨,过70-170目筛,之后在马弗炉中进行煅烧、冷却至室温,取出样品再次进行研磨,得超薄s,b共掺杂g-c3n4光催化剂...
在此,通过多步煅烧与溶剂热法相结合,成功制备酞菁钴/氧掺杂g-C3N4(CoPc/OCN)复合光催化剂。多步煅烧的g-C3N4更容易形成O掺杂,而乙醇溶剂热法被利用来提高CoPc在OCN纳米片表面的分散度,并通过结合氢键形成S型异质结。此外,CoPc本身的活性位点和优良的光热特性可以进一步提升CoPc/OCN S型异质结的光热辅助光催化产...
类石墨相氮化碳(g—C3N4)作为一种新型光催化材料,在光解水产氢等领域具有广阔的应用前景,研究表明,非金属掺杂(O、S等)能提高其光催化活性。g—C3N4,具有和石墨相似的层状结构,其中一种二维平面结构如图所示。下列关于g—C3N4,的说法错误的是A.基态C原子的成对电子数与未成对电子数之比为2:1B.N、O、S的...