然而,g-C3N4的光催化性能仍需进一步提高,尤其是其光生电子-空穴的分离效率和可见光利用率。为此,本文研究了B掺杂g-C3N4纳米片的光解水析氢性能,并对其进行了改性研究。 二、B掺杂g-C3N4纳米片的制备与表征 B掺杂g-C3N4纳米片的制备采用化学气相沉积法。首先,将含有B元素的原料与三聚氰胺混合均匀,然后在高温下...
7.根据权利要求1所述的一种nisno3修饰b掺杂多孔g-c3n4纳米管复合光催化剂的制备方法,其特征在于步骤三中将0.1g的b掺杂多孔g-c3n4纳米管超声分散于15ml的n,n-二甲基甲酰胺中,得溶液a,将5mg～15mg的nisno3纳米粒子超声分散于在15ml的正己烷中,得溶液b。 8.根据权利要求1所述的一种nisno3修饰b掺杂多孔g-c3n4...
研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂,其光催化能力优于g-C3N4。因此本文设计了B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构,并与g-C3N4/SnS2异质结构相比,探索了CO2还原的光催化性能。 【成果简介】 近日,中国东北师范大学的颜力楷(通讯)作者等人,通过密度泛函理论(DFT)计算功函数和电荷密度,证明g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/S...
本发明公开了一种B掺杂的g‑C3N4/BiVO4光催化剂及其制备与应用。所述催化剂以B掺杂的g‑C3N4、钒酸盐以及铋盐为基础材料,经高温煅烧而成;其中,所述煅烧温度不低于400℃;且,当通过拉曼散射效应对散射光谱进行分析时,所述光催化剂在820.0±1.0cm‑1处具有峰,并且在298.2±0.5cm‑1处具有峰。基于制备...
以三聚氰胺和四苯基硼酸钠为原料,采用热解法制备了B元素掺杂的g-C3N4催化剂(CNB),然后将其与In2O3复合,经过煅烧后制备了具有不同配比的In2O3/CNB,同时考察了In2O3/CNB降解甲基橙,亚甲基蓝的光催化活性.结果表明:(1)In2O3/CNB的光催化活性较In2O3均提高,其中In2O3,CNB质量比为0.10时In2O3/CNB的甲基...
g-C3N4的过渡金属掺杂是一种有效的改性方法,可以显著提高其光催化性能。过渡金属如Fe、Ni、Cu、Zn等被掺杂到g-C3N4的结构单元中,可以成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱,从而延长电子与空穴的复合时间。这种掺杂方式有助于改善g-C3N4的光催...
此外,P掺杂g-C3N4和MoP界面上的Mo-N键可作为电子“传输通道”,从而促进电荷从P掺杂g-C3N4转移至MoP,同时肖特基势垒促进光生载流子的分离。 文章要点3:测试表明,所优化的P掺杂g-C3N4/MoP光催化剂具有高达4917.83 μmol·g−1·h−1的H2析出速率,以及优异的产氢稳定性。 图2. 所制备出材料的XRD与微观形貌...
本工作提出一种硫辅助退火法对g-C3N4纳米片进行二次改性,在保持g-C3N4原始形貌结构不变的条件下实现了其能带结构的可控调节。实验和理论计算结果表明,改性后的硫掺杂g-C3N4具有更高的光吸收率及电荷分离效率,在可见光照下表现出明显提升的产氢及产双氧水能力。
研究团队合成了一种新颖的P掺杂MoS2/g-C3N4层状结构复合材料,它可以暴露更多的活性位点,并通过形成Mo-N键产生强相互作用用于光催化杀菌。通过实验和理论证实,P掺杂的MoS2/g-C3N4异质结构不仅产生双层内建电场来驱动电荷的转移,还有利于分离氧化还原位点进...
g-C3N4/TiO2复合纳米材料的制备及可见光催化性能研究 TiO2无毒、廉价、结构稳定,具有优良的光催化性能,是近年研究较多的半导体光催化剂之一。但是由于其禁带较宽(3.2eV),仅能在紫外光区响应,而波长小于380nm的紫外光对应... 郭淑慧 - 重庆大学 被引量: 0发表: 0年 ...