ROHM罗姆代理 SiC碳化硅MOSFET 车规功率元器件 半导体元器件现货 ￥1.00 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器件 ￥12.00 查看详情 INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650N150A 车载充电器氮化稼二极管 650V 17A 转换电压...
真实性核验 主营商品:Sic碳化硅、MOS管、肖特基二极管 进入店铺 全部商品 店内热销 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器件 ￥12.00 查看详情 INN650D260A 氮化镓MOSFET管 光伏储能系统器件 650V 14A DFN8X8 ￥7.00 查看详情 INN650DA150A 氮化镓电子电器电源设备 650V ...
在第4代SiC MOSFET中,通过进一步改进罗姆自有的双沟槽结构,成功地在改善短路耐受时间的前提下,使导通电阻比以往产品降低约40%。作为SiC MOSFET,实现了业界超低的导通电阻。 2.通过大幅降低寄生电容,实现更低开关损耗 第4代SiC MOSFET,通...
ROHM开发出"1200V第4代SiC MOSFET",非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源.对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战.此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽...
Wolfspeed科税 SIC 碳化硅二极管 电源专用MOS管 场效应管 新能源应用 ￥1.00 查看详情 ROHM罗姆 碳化硅MOS管 SIC MOSFET管 汽车新能源功率元器件现货 ￥1.00 查看详情 ROHM罗姆代理 SiC碳化硅MOSFET 车规功率元器件 半导体元器件现货 ￥1.00 查看详情 INN650D150A 氮化镓MOS管 LED照明驱动器 650V 17A DFN8X8 元器...
ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺,成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中,实施了对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试,结果如下。试验证明,所有特性如导通电阻,漏电流等都没有变化。 短路耐受能力 由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度,因...
小型封装内置第4代SiC MOSFET,实现业界超高功率密度,助力xEV逆变器实现小型化! 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(电动汽车)用牵引逆变器,开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”,共4款产品(750V 2个型号:BSTxxxD08P4A1x4,1,200V 2个型号:BSTxxxD12P4A1x1)。TRCDRIVE ...
ROHM | 使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易(优点篇) 内置1700V耐压SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC:BM2SC12xFP2-LBZ BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进*的AC/DC转换器IC,采用一体化封装,已将1700V耐压的SiCMOSFET和针对其驱动而优化的控制电路内置于小型表贴封装(TO263-7L)中。主要适用于需...
ROHM第4代SiC MOSFET产品的关键特性之一就是高可靠性。通常来说,标准导通阻抗跟短路耐受时间是互斥的,RonA减小会导致短路耐受时间变短。但ROHM通过独特的器件结构,实现了更低的饱和电流值,从而在RonA减小的同时,也保证了更长的短路耐受时间。 垂直整合型SiC生产体系 ...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。 “BM2SCQ12xT-LBZ”是世界首款内置节能性能极其优异的SiC MOSFET的AC/DC转换器IC,消除了分立结构带来的设计课题,从而可非常容...