RDL是一层布线金属互连层,可将I/O重新分配到芯片的不同位置。 Redistribution layer(RDL)是将半导体封装的一部分电连接到另一部分的铜金属互连。RDL以线宽和间距来衡量,线宽和间距指的是金属布线的宽度和间距。高端 RDL的线宽可能为2μm甚至更小。 RDL是一层布线金属互连层,可将...
这种将不同工艺单独制造的芯片封装在一起的工艺,要通过RDL来进行I/O的变换,最终实现多芯片的堆叠。当接下来几年出现外观、性能、功耗和完整性更高水平的异构集成时,RDL就是不同芯片之间相互通信的最好实现途径。 其次是采用SMT技术的被动元器件,如果要适应系统微缩的趋势,就会将RDL整合到工艺中,形成一个系统电路。
RDL的全称是(ReDistribution Layer)重布线层,RDL重布线层作为晶圆级封装中的核心技术,起着XY平面电气延伸和互联的作用。RDL是将原来设计的芯片线路接点位置(I/O pad),通过晶圆级金属布线制程和凸块制程改变其接点位置,使芯片能适用于不同的封装形式。 明阳电路在RDL技术的布局 基于明阳在半导体领域的布局,先进封装...
(1). 扇入式 RDL 技术:扇入式 RDL 技术用于封装单个芯片。扇入式 RDL 技术也称为晶圆级封装 (WLP),它是直接在晶圆上建立封装的过程。扇入式 RDL 技术是一种经济高效的解决方案,用于创建小型和薄型封装。 扇入式 RDL 工艺用于生产先进的封装解决方案,例如晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 和系统级封装 (SiP) 设计。
RDL的工艺流程？1，晶圆清洗 清洗以去除表面的杂质和颗粒，骤有助于提高光刻胶和金属沉积层的附着性。2.PI-1 Litho 通过PSPI光刻工艺在晶圆上做出一层钝化层（PI-1）的图案。关于PSPI，见文章：《PSPI（光敏性聚酰亚胺）介绍》3.Ti/Cu Sputtering 进行钛/铜溅射沉积，形成底部金属层（UBM）。钛层：做缓冲层，...
窄间距RDL技术的特点是在芯片和封装之间采用了非常小的间隔距离进行布线,可以实现更高的引脚密度和较短的电信号传输路径,从而提高了电路性能和可靠性。 窄间距RDL技术主要包括以下几个方面的关键技术: 多层金属线:通过在RDL层中使用多层金属线,可以实现更多的引脚布线和更高的信号密度。
Manz亚智科技作为板级RDL方案产业化的领导者之一认为，在当前CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）产能欠缺下，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技术概念是驱动先进封装进阶的趋势。CoPoS是CoWoS的面板化解決方案，作为2.5D封装的另外一种选择，其硅中介层替换成有机材料中介层、BT基板替换成玻璃基板，在各种互连...
报表定义语言 (RDL) 是 SQL Server Reporting Services (SSRS) 报表定义的 XML 表示形式。 报表定义包含报表的数据检索和布局信息。 您可以添加自己的自定义功能,用于通过访问报表定义文件中的代码程序集来控制报表项值、样式和格式设置。 RDL 可用于定义图表、图形、计算、文本、图像和其他报表对象。 RDL 可通过使...
先进封装的四大要素——TSV(硅通孔)、Bump(凸点)、RDL(重布线层)、Wafer(晶圆)——在现代半导体封装中扮演了核心角色。它们在封装工艺中各自承担的功能,从不同维度推动了芯片小型化、集成度和性能的提升。 1. Wafer(晶圆):基础材料和封装载体 Wafer 是先进封装的基础,作为芯片制造的载体和平台。它由高纯度的硅...
RDL 技术是先进封装异质集成的基础,广泛应用扇出封装、扇出基板上芯片、扇出层叠封装、硅光子学和 2.5D/3D 集成方法,实现了更小、更快和更高效的芯片设计。OSAT、IDM和代工厂在这条道上的竞争日益激烈。如今RDL L/S 扩展到最先进 2μm及以下。未来三年将进入亚微米,赋能扇出封装更高效能集成。本文为各位看官汇...