RCA是一种典型的、至今仍普遍使用的湿式化学清洗法，主要作用是清除晶圆表面的有机沾污、颗粒、金属沾污等，为后续工艺过程提供洁净的晶圆表面。首先是SPM清洗，然后DHF清洗，再SC-1清洗，最后SC-2清洗，因此在机台上，会配置很多化学液，涉及到的清洗药液主要有:SPM、DHF、APM(SC-1)和HPM(SC-2)。1、SPM：H2S...
RCA清洗能有效去除颗粒杂质。可清除半导体表面的金属污染物。对于有机物的去除效果十分显著。标准RCA清洗包含多个步骤流程。第一步通常是去除颗粒的清洗环节。接着进行去除金属杂质的操作。再开展针对有机物的清除流程。 清洗液的配方会影响清洗效果。不同比例的清洗液有不同作用。温度对RCA清洗过程有较大影响。合适的...
RCA清洗，全称为Radio Corporation of America清洗法，是一种广泛应用于半导体制造中的湿式化学清洗方法。RCA清洗主要是由两种不同的化学液组成：1号标准清洗液（SC1）和2号标准清洗液（SC2）。配方 1号标准清洗液是NH4OH/H2O2/H2O(氨水/双氧水/水)按照1:1:5的比例混合。2号标准清洗液是HCL/H2O2/H2O(盐酸/双氧...
RCA清洗是一种标准的湿法清洗方法，广泛应用于半导体制造行业，用以去除晶圆表面的颗粒、有机和无机污染物。其名称来源于美国无线电公司（RCA Corporation）首次开发并推广这一技术。芯矽科技的崛起与发展 苏州芯矽电子科技有限公司成立于2018年，是一家专注于研发、生产、设计和销售半导体设备的高新技术企业。公司业务范围...
定义:RCA清洗是美国无线电公司(RCA)开发的一种标准湿法清洗工艺,旨在去除硅晶圆表面的颗粒、有机和无机污染物,为后续的半导体制造工艺提供清洁的表面。 目的:确保半导体器件的性能、可靠性和良率,防止杂质对半导体性能产生负面影响,如影响载流子迁移率、导致阈值电压漂移等。
此外，RCA清洗技术也是不可或缺的一环。其核心步骤包括：将硅片浸入稀释的氢氟酸中去除自然氧化层，随后在过氧化氢与水的混合液中进行清洗，最后用去离子水清洗并烘干。这一流程能够有效地去除硅片表面的金属离子沾污。SC-1清洗液 成分：由H2O、NHH2O（氨水）和H2O2（过氧化氢）混合而成的碱性溶液。作用：通过H2O2...
RCA清洗工艺的具体步骤如下: 1.预清洗:使用有机溶剂(如丙酮、甲醇、乙酸乙酯等)清洗芯片表面的有机物和杂质。 2.酸性清洗:使用酸性溶液(如盐酸、硫酸等)清洗芯片表面的金属氧化物和金属。 3.碱性清洗:使用碱性溶液(如氢氧化钠、氢氧化钾等)清洗芯片表面的酸性残留物和有机物。 4.中和清洗:使用中和剂(如氢氧...
RCA清洗法RCA冲洗 RCA标准冲洗法是1965年由Kern和Puotinen等人在的RCA实验室开创的,并由此而得名。 RCA是一种典型的、到现在仍为最广泛使用的湿式化学冲洗法,该冲洗法主要包含以下几种冲洗 液。 (1)SPM:H2SO4/H2O2120～150℃SPM拥有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于冲洗 液中,并能把有机物氧化生成CO2和...
硅片的RCA清洗原理主要基于化学反应和表面张力的作用，通过使用特定的化学试剂和清洗液组合，去除硅片表面的各类污染物。化学反应作用 氧化剂与还原剂反应：过氧化氢（H₂O₂）是一种强氧化剂，在酸性条件下能将金属离子氧化，使其更容易与清洗液中的其他成分发生反应而被去除；在碱性条件下，它又可以分解有机物...