对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用较广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
RCA标准清洗步骤 硅片清洗工艺采用 RCA 方法, 这是半导体行业硅片的标准清 洗步骤: 配制氢氟酸溶液(1:20,本次 100ml2000ml) 硅片支架清洗、吹干待用 取硅片放于支架上,按照顺序放好 配 3#液(硫酸:H2O2=3:1,本次 660ml:220ml) ,硫酸最后加,同时另一容器煮水 用 3#液煮洗,15min,加热至 250℃,拎起支...
2.根据权利要求1所述的rca清洗方法,其特征在于,所述碱抛步骤中:所述第一碱性溶液包括浓度为4%～5%的naoh和浓度为0.5%～1%的添加剂,所述第一碱性溶液的温度为65℃～70℃,工艺时间为310s。 3.根据权利要求1所述的rca清洗方法,其特征在于,所述碱抛步骤之前,还包括: 4.根据权利要求1所述的rca清洗方法,其特...
1、rca槽式清洗设备用于在制造半导体、微电子和光电子等高科技产品时进行一系列清洗步骤,rca槽式清洗设备采用rca清洗法,即使用溶剂、酸、表面活性剂和水等化学剂,在不破坏晶圆表面特征的情况下,通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染,该清洗方法能够有效提高晶圆的可靠性和良品率,并...
对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用最广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用最广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用较广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用最广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
RCA 清洗步骤 I 预处理 1. 晶片放于烧杯中,用去离子水加超声清洗数次至无明显异物; 2. 晶片于适量浓硫酸中浸泡 45 分钟; 3. 将双氧水沿烧杯壁缓慢倒入浓硫酸中(双氧水:浓硫酸=1:1)),晶片浸泡 15 分钟; 4. 倒出烧杯中的浓硫酸双氧水混合溶液至固定的酸回收桶,用去离子水淋洗晶片 数次; 5. 用 HF ...