工业标准湿法清洗工艺称为RCA清洗工艺,由美国无线电公司(RCA)于20世纪60年代提出。RCA湿法清洗由一系列有序的浸入两种不同的化学溶液组成:1号标准清洗液(SC-1)和2号标准清洗液(SC-2)。SC-1的化学配料为NH4OH/H2O2/H2O这三种化学物按1:1:5到1:2:7的配比混合,它是碱性溶液,能去除颗粒和有机物质,SC-1湿法...
RCA清洗工艺的具体步骤如下: 1.预清洗:使用有机溶剂(如丙酮、甲醇、乙酸乙酯等)清洗芯片表面的有机物和杂质。 2.酸性清洗:使用酸性溶液(如盐酸、硫酸等)清洗芯片表面的金属氧化物和金属。 3.碱性清洗:使用碱性溶液(如氢氧化钠、氢氧化钾等)清洗芯片表面的酸性残留物和有机物。 4.中和清洗:使用中和剂(如氢氧...
兆声清洗时,由于 0.8Mhz 的加速度作用,能去除 ≥ 0.2 μm 颗粒,即使液温下降到 40℃也能得到与 80℃超声清洗去除颗粒的效果,而且又可避免超声洗晶片产生损伤。 ⑨ 在清洗液中,硅表面为负电位,有些颗粒也为负电位,由于两者的电的排斥 力作用,可防止粒子向晶片表面吸附,但也有部分粒子表面是正电位,由于两者...
RCA是一种典型的、至今仍普遍使用的湿式化学清洗法，主要作用是清除晶圆表面的有机沾污、颗粒、金属沾污等，为后续工艺过程提供洁净的晶圆表面。首先是SPM清洗，然后DHF清洗，再SC-1清洗，最后SC-2清洗，因此在机台上，会配置很多化学液，涉及到的清洗药液主要有:SPM、DHF、APM(SC-1)和HPM(SC-2)。1、SPM：H2...
这种类型最著名的系统被称为“RCA清洗工艺”，本文将对此进行描述。它用于在加工的初始阶段清洗硅晶片。这些晶片的特征仅在于具有或不具有二氧化硅和氮化硅层或图案的单晶硅或多晶硅，没有暴露的金属区域。含水溶液的活性化学物质可用于清洗和处理这些耐腐蚀材料。早期阶段的清洗通常在栅极氧化物沉积和高温处理(例如热氧化...
RCA设备是一种音频和视频设备,包括收音机、放大器、扬声器等。由于长期使用和环境的影响,这些设备会积累灰尘、油污和其他污垢,降低其性能和使用寿命。因此,定期进行RCA清洗是非常重要的。 为了保持和恢复RCA设备的良好工作状态,我们需要遵循一定的清洗工艺。首先,确保设备断电,避免电流对清洗工作造成伤害。然后,用干净...
了解湿台工艺中的RCA工艺 RCA清洗的核心是一个三步清洁工艺，旨在有效清洁硅晶圆。每个步骤都针对不同类型的污染物，例如有机残留物、自然氧化物薄层，最后是离子污染。在RCA清洁的第一阶段，通常称为标准清洁1(SC-1)，混合物包含：1份NH4OH（氢氧化铵），1份H2O2（过氧化氢），5份去离子(DI)水。SC-1解决...
对RCA清洗工艺的讨论将包括以下处理顺序: 1.初步清洁 去除粗大的杂质,包括图案化后的光刻胶掩模,可以通过干法或液体方法来完成。通常使用氧基等离子体的反应性等离子体辅助清洗是应用较广泛的干法,多年来已在IC制造中常规使用。几种类型的等离子体源是可商购的。离子对衬底器件晶圆造成的损坏一直是一个问题,但可以...
下面是硅片的RCA清洗工艺的详细步骤: 1. 准备工作:清洗室要保持干净,并确保所有使用的设备和容器都是清洁的。准备好所需的化学试剂,包括去离子水、浓硝酸(HNO3)、浓氢氟酸(HF)和去离子水。 2. 第一次清洗(SC1):将硅片放入清洗容器中,并加入去离子水,使其完全浸没。将容器放入超声波清洗器中,超声波清洗时间...