通常情况下,传统模块中 IGBT 与 FWD 的面积比一般约为 2:1,RC-IGBT 可在保持传统 IGBT 芯片面积基本一致(略有增大)的条件下,通过在芯片内部集成 FWD,从而省掉 FWD 部分的芯片面积,故可以节省总芯片面积约 1/3,详细可以参考以下文献[1],同时芯片数量少了,还节省了焊接芯片和键合绑定线的成本,可大幅降低芯片...
通常情况下,传统模块中IGBT与FWD的面积比一般约为2:1,RC-IGBT 可在保持传统 IGBT 芯片面积基本一致(略有增大)的条件下,通过在芯片内部集成 FWD,从而省掉 FWD 部分的芯片面积,故可以节省总芯片面积约1/3,详细可以参考以下文献[1],同时芯片数量少了,还节省了焊接芯片和键合绑定线的成本,可大幅降低芯片生产制造成...
RC-IGBT的工作原理 正向导电时,栅极电压VGE超过阈值电压,集电极电压VCE超过开启电压,IGBT导通,IGBT发射极N+区通过沟道向N-漂移区注入电子,背面P+集电极区向N-漂移区注入空穴,形成一个电流从集电极(背面)流向发射极(正面)的导电通路。 反向导电时,栅极电压低于阈值电压,发射极电压VEC超过开启电压,内集成二极管开始工作...
总体来看，RC-IGBT通过集成设计实现了一系列优势，包括减小芯片尺寸、降低热阻、降低结温波动等，尤其是在电动汽车应用领域，富士等厂商已经将RC-IGBT作为重点器件进行推广应用。尽管存在Snap-back等问题，但针对这些问题的研究和优化仍在继续，使得RC-IGBT成为功率器件领域的一个重要发展方向。
半导体领域的创新焦点之一是逆导型IGBT（RC-IGBT），尽管它长期以来应用不多，但富士电机近年来在电动汽车领域的广泛应用使其备受关注。RC-IGBT的独特之处在于它将IGBT和二极管集成在一块芯片内，简化了电路设计，可能引领电动汽车电力转换技术的新方向。首先，RC-IGBT并非简单将IGBT与二极管功能合并，它解决...
前面已经提到RC-igbt虽然能够节省总的芯片面积,但是对于二极管的有效面积约扩大一倍,因此可有效降低二极管的热阻,并大幅提高其抗浪涌电流的能力(I2t耐量),而对于IGBT来说也能一定程度上降低热阻,下图为富士公开的一个报告上给出的参数,IGBT可以降低12%的热阻,Diode可以降低40%的热阻。
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新型RC-IGBT中的功率损耗总结图所示。 IGBT区域的功率损失主要通过抑制快回现象和稀释漂移层来减少。FWD区域的功率损失主要是由于氦的辐照和漂移层的稀释而减少的。 结果表明,与前一代的PCU设备相比,新型RC-IGBT降低了13%的功率损耗。 下图描绘了稳态和开关损耗的比较,它们是功率损耗分量,权衡曲线显示了已开发的产品...
金融界 2025 年 1 月 16 日消息，国家知识产权局信息显示，青岛中微创芯电子有限公司申请一项名为“一种沟槽栅 RC-IGBT 器件结构”的专利，公开号 CN 119300452 A，申请日期为 2024 年 12 月。专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽栅 RC‑IGBT 器件结构，本发明涉及半导体器件技术领域。该沟槽栅 RC‑IGBT ...
反向导通IGBT(RC-IGBT)在单个芯片上集成了IGBT和续流二极管(FWD)。在许多IGBT应用中,有一种续流电流可从发射极流向集电极的模式。对于这种续流操作,续流二极管与IGBT反向并联连接。图(b)显示了RC-IGBT的内部结构示例。集电极中的P区的一部分被N区所取代,与发射极中的P区形成PIN二极管(*1)(P-N--P)。如图(...