INFINEON英飞凌 场效应管 IHW30N160R2 IGBT 晶体管 RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30AIHW30N160R2 25000 INFINEON英飞凌 TO-247 ￥0.9800元>=1 个 深圳市特莱科技有限公司 4年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 INFINEON英飞凌 IKD06N60RA IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT ...
通常情况下,传统模块中 IGBT 与 FWD 的面积比一般约为 2:1,RC-IGBT 可在保持传统 IGBT 芯片面积基本一致(略有增大)的条件下,通过在芯片内部集成 FWD,从而省掉 FWD 部分的芯片面积,故可以节省总芯片面积约 1/3,详细可以参考以下文献[1],同时芯片数量少了,还节省了焊接芯片和键合绑定线的成本,可大幅降低芯片...
免费查询更多英飞凌rc-igbt详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
开发的RC-IGBT分别减少了25%的芯片尺寸和24%电源尺寸。此外,RC-IGBT与丰田上一代混合动力汽车相比,减少了13%的电力损耗。 因此,RC-IGBT有助于减少PCU的尺寸。与上一代混合动力相比,RC-IGBT减少了40%的PCU功率损耗。 一个RC-IGBT有一个集成的IGBT和一个FWD,IGBT区域和FWD区域交替放置。 传统的RC-IGBT有相邻的...
反向导通IGBT(RC-IGBT)在单个芯片上集成了IGBT和续流二极管(FWD)。在许多IGBT应用中,有一种续流电流可从发射极流向集电极的模式。对于这种续流操作,续流二极管与IGBT反向并联连接。图(b)显示了RC-IGBT的内部结构示例。集电极中的P区的一部分被N区所取代,与发射极中的P区形成PIN二极管(*1)(P-N--P)。如图(...
由于RC-IGBT电流的增加,M至N点之间的电势进一步降低,致使该处的 P-emitter/N-buffer 结逐渐正偏,这样就有更多的空穴注入N-drift区,电导调制效应增强,从而形成电流不断增大而电阻不断减小的正反馈过程,直至P-emitter/N-buffer 结完全正偏(工作机理为IGBT,称之为IGBT模式)。这个电流增大的同时电压降低过程反映到输...
RC-IGBT的结构 因为IGBT大部分应用场景都是感性负载,在IGBT关断的时候,感性负载会产生很大的反向电流,IGBT不能反向导通,需要在IGBT的两端并联一个快速恢复二极管(FRD)来续流反向电流,这导致传统IGBT模块体积较大,难以满足当今市场对大功率、小型化功率器件及模块产品的迫切需求。为了解决上述问题,一种将“IGBT和FRD的...
本发明属于半导体功率器件领域,涉及一种集成横向续流二极管的rc-igbt。 背景技术: 1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt),是由双极型晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,作为弱电控制强电的核心半导体器件,被广泛应用于工业、4c(通信、计算机、消费...
证券之星消息,根据天眼查APP数据显示芯联集成(688469)新获得一项发明专利授权,专利名为“RC-IGBT器件及其制作方法”,专利申请号为CN202410749935.3,授权日为2024年9月6日。 专利摘要:本发明涉及一种RC‑IGBT器件及其制作方法。所述RC‑IGBT器件中,衬底包括相邻的IGBT形成区和FRD形成区,所述衬底正面形成有横跨所述...
RC-IGBT的结构如图3-16(a)所示。二极管由一部分p型层构成,p型层作为IGBT的n型集电极。该二极管具有与FWD*1相同的功能,FWD*1通常插入IGBT中。 随着薄晶片技术的引入,这种结构的商业化也成为了可能。由于二极管和IGBT是一个芯片,所以很容易组装。因为很难单独控制二极管和IGBT的性能,所以RC-IGBT不适合某些应用。