通常情况下,传统模块中 IGBT 与 FWD 的面积比一般约为 2:1,RC-IGBT 可在保持传统 IGBT 芯片面积基本一致(略有增大)的条件下,通过在芯片内部集成 FWD,从而省掉 FWD 部分的芯片面积,故可以节省总芯片面积约 1/3,详细可以参考以下文献[1],同时芯片数量少了,还节省了焊接芯片和键合绑定线的成本,可大幅降低芯片...
通常情况下,传统模块中IGBT与FWD的面积比一般约为2:1,RC-IGBT 可在保持传统 IGBT 芯片面积基本一致(略有增大)的条件下,通过在芯片内部集成 FWD,从而省掉 FWD 部分的芯片面积,故可以节省总芯片面积约1/3,详细可以参考以下文献[1],同时芯片数量少了,还节省了焊接芯片和键合绑定线的成本,可大幅降低芯片生产制造成...
RC-IGBT的工作原理 正向导电时,栅极电压VGE超过阈值电压,集电极电压VCE超过开启电压,IGBT导通,IGBT发射极N+区通过沟道向N-漂移区注入电子,背面P+集电极区向N-漂移区注入空穴,形成一个电流从集电极(背面)流向发射极(正面)的导电通路。 反向导电时,栅极电压低于阈值电压,发射极电压VEC超过开启电压,内集成二极管开始工作...
总体来看，RC-IGBT通过集成设计实现了一系列优势，包括减小芯片尺寸、降低热阻、降低结温波动等，尤其是在电动汽车应用领域，富士等厂商已经将RC-IGBT作为重点器件进行推广应用。尽管存在Snap-back等问题，但针对这些问题的研究和优化仍在继续，使得RC-IGBT成为功率器件领域的一个重要发展方向。
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半导体领域的创新焦点之一是逆导型IGBT（RC-IGBT），尽管它长期以来应用不多，但富士电机近年来在电动汽车领域的广泛应用使其备受关注。RC-IGBT的独特之处在于它将IGBT和二极管集成在一块芯片内，简化了电路设计，可能引领电动汽车电力转换技术的新方向。首先，RC-IGBT并非简单将IGBT与二极管功能合并，它解决...
由于RC-IGBT电流的增加,M至N点之间的电势进一步降低,致使该处的 P-emitter/N-buffer 结逐渐正偏,这样就有更多的空穴注入N-drift区,电导调制效应增强,从而形成电流不断增大而电阻不断减小的正反馈过程,直至P-emitter/N-buffer 结完全正偏(工作机理为IGBT,称之为IGBT模式)。这个电流增大的同时电压降低过程反映到输...
反向导通IGBT(RC-IGBT)在单个芯片上集成了IGBT和续流二极管(FWD)。在许多IGBT应用中,有一种续流电流可从发射极流向集电极的模式。对于这种续流操作,续流二极管与IGBT反向并联连接。图(b)显示了RC-IGBT的内部结构示例。集电极中的P区的一部分被N区所取代,与发射极中的P区形成PIN二极管(*1)(P-N--P)。如图(...
新开发的RC-IGBT通过优化IGBT和FWD区域的优化安排以及新工艺技术,克服了快速回流现象和FWD功率损耗增加的两个问题。 一般来说,IGBT中的集电极电流随着所施加的集电极电压的增加而逐渐增加。 然而,在RC-IGBT中,当集电极电压增加时,会出现快回现象,导致IGBT区域的工作不稳定和功率损失。
新开发的RC-IGBT通过优化IGBT和FWD区域的优化安排以及新工艺技术,克服了快速回流现象和FWD功率损耗增加的两个问题。 一般来说,IGBT中的集电极电流随着所施加的集电极电压的增加而逐渐增加。 然而,在RC-IGBT中,当集电极电压增加时,会出现快回现象,导致IGBT区域的工作不稳定和功率损失。