封装 SOP8 批号 18+ 数量 5000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -20C 最大工作温度 125C 最小电源电压 1V 最大电源电压 9.5V 长度 2.8mm 宽度 5mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 TPH1500CNH 技术参数 品牌: TOSHIBA 型号: TPH1500CNH 封装: SOP8 批号: 18+ 数量: 50...
封装 PQFN5X68L 批号 23+ 数量 2854500 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET® FET 类型 2 N-通道(双) FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 25µA...
封装: DUAL PQFN 5X6 8L 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Dual-PQFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 43 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 ...
封装 PQFN-8(5x6) 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价...
问商家 产品的高度能详细说明吗? 产品的长度能详细说明吗? 最小电源电压能详细说明吗? 深圳市哲航电子有限公司 2年 响应速度: 中 货描质量: 低 商品数量: 6575 进入店铺 全部商品 17:26 x** 联系了该商品的商家 17:25 x** 联系了该商品的商家 20:49 h** 联系了该商品的商家 09:13 c** 联系...
ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 深圳市微碧半导体有限公司 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 120A 导通电阻 3mΩ...
封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强型 批号 24+ 安装方式 表面贴片 产地 中国 可售卖地 全国 产品保证 原装 数量 99999 品牌 VBsemi/微碧半导体 型号 IRFH5210TRPBF-VB PDF资...
ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 63A 导通电阻 10.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2~4V 封装/规格 QF...
ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 40V 连续漏极电流(Id) 75A 导通电阻 4.7mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.9V 封装/规格 QFN8(5X6) ...
封装方式 WSON8 支持单片机型号 25Q32,25Q64,25Q128等 品牌 ORGtech WSON8烧录座QFN8编程座6*8mm5*6测试座25系列芯片flash翻盖适配器 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以...