封装 PQFN5X68L 批号 23+ 数量 2854500 湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限) 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 HEXFET® FET 类型 2 N-通道(双) FET 功能 标准 漏源电压(Vdss) 40V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 25µA...
封装: DUAL PQFN 5X6 8L 批号: 22+ 数量: 1000 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Dual-PQFN-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 43 A Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 ...
封装: SOP8 批号: 18+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8.5V 长度: 2.3mm 宽度: 6.6mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同...
Diotec推出全新高功率无铅的QFN5*6封装的MOSFET,该SMD封装面积有30平方毫米,可挑战传统的SMD封装D2PAK(TO263)和DPAK(TO252),不管是在开关特性还是热阻都有具大
封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强型 批号 24+ 安装方式 表面贴片 产地 中国 可售卖地 全国 产品保证 原装 数量 99999 品牌 VBsemi/微碧半导体 型号 IRFH5301TRPBF-VB PDF资...
ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 连续漏极电流(Id) 63A 导通电阻 10.3mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2~4V 封装/规格 QF...
封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强型 批号 24+ 安装方式 表面贴片 产地 中国 可售卖地 全国 产品保证 原装 数量 99999 品牌 VBsemi/微碧半导体 型号 NCE0160G-VB PDF资料 ...
SI2302CDS-T1-GE3 SOT-23封装场效应管丝印MOS管微碧半导体晶体管 ￥0.18 查看详情 ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 深圳市微碧半导体有限公司 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我...
ZXMN6A09DN8TC SOP-8N沟道mos管微碧半导体场效应管 晶体管电源芯片 ￥1.70 本店由中国供应商运营支持 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 80A 导通电阻 7mΩ@VGS=10V,VGS=20V 封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 ...
封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装量 2500 产品特性 大功率 封装 QFN8(5X6) 包装方式 编带 芯片 台积电 工艺 长电封测代工 FET类型 增强型 批号 24+ 安装方式 表面贴片 产地 中国 可售卖地 全国 产品保证 原装 数量 99999 品牌 VBsemi/微碧半导体 型号 3R303GMT-HF-VB 价格说...