090N03LS-VB 是一款 QFN8(5X6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数: - VDS(漏极-源极电压):30V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压):1.7V- RDS(ON)(导通电阻):在 VGS=4.5V 时为9mΩ,在 VGS=10V 时为7mΩ- ID(漏极电流):80A- 技术:沟道技术 该型号的产品简介详细说明...
Diotec推出全新高功率无铅的QFN5*6封装的MOSFET,该SMD封装面积有30平方毫米,可挑战传统的SMD封装D2PAK(TO263)和DPAK(TO252),不管是在开关特性还是热阻都有具大
封装: SOP8 批号: 18+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 100C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 8.5V 长度: 2.3mm 宽度: 6.6mm 高度: 1.3mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同...
40N06-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管,采用 DFN8(5X6) 封装,适用于对空间有限的应用。具有优秀的热性能和可靠性,适用于各种严苛的环境。具有 60V 的漏极-源极电压(VDS)和±20V 的栅极-源极电压(VGS),在不同工作条件下提供稳健的性能。该器件具有低的栅极阈值电压(Vth)为 2.5V,确保在低电压电路中...
封装 DUALPQFN5X68L 批号 23+ 数量 3000 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装/ 箱体 PQFN-8 晶体管极性 N-Channel 通道数量 2 Channel Vds-漏源极击穿电压 40 V Id-连续漏极电流 43 A Rds On-漏源导通电阻 10 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V...
原装正品 MAX6369KA+T SOT-23-8 引脚可设置看门狗定时器芯片 ¥ 0.50 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: AOS/ 万代 通道数: 1 电源电压: 30V 电源电流: 22A 封装/规格: DFN56 包装: 卷 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随...
封装/规格: QFN8(5X6) 包装: 编带 最小包装量: 2500 产品特性: 大功率 封装: QFN8(5X6) 包装方式: 编带 芯片: 台积电 工艺: 长电封测代工 FET类型: 增强型 批号: 24+ 安装方式: 表面贴片 产地: 中国 可售卖地: 全国 产品保证: 原装 数量: 99999 价格说明 价格:商品在平...
SCT/芯洲 SCT2432STER ESOP-8 3.8V-40V 3.5A 同步降压转换器 ￥2.60 本店由找商网运营支持 获取底价 深圳市宏源世纪科技有限公司 商品描述 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 价格说明 联系我们 品牌 AOS/ 万代 通道数 1 电源电压 30V 电源电流 22A 封装/规格 DFN56 包装 卷 可售卖地 ...
OptiMOS™ 功率 MOSFET 40 V-150 V 采用 SuperSO8 DSC 封装,采用双面散热技术,增强了热性能 OptiMOS™ 6 40 V和OptiMOS™ 5 40 V-150 V 功率MOSFET 采用 SuperSO8 DSC(双面散热)封装,具有双面散热解决方案的所有热管理优势,采用行业标准封装。 使用底部散热解决方...
芯片封装-中科同志老品牌,品质保障,值得信赖! -- -- -- -- 面议 北京仝志伟业科技有限公司 -- 立即询价 TLV62568DBVR 电源管理芯片 TI 封装SOT23-5 批次22+ TLV62568DBVR 6000 TI SOT23-5 22+ ￥1.0000元1000~2999 个 ￥0.8000元3000~5999 个 ...