MOS管 NTH4L022N120M3S-VB 场效应管 TO-247-4L微碧半导体电子元器件 ￥180.00 本店由中国供应商运营支持 获取底价 深圳市微碧半导体有限公司 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 获取底价 商品描述 PDF资料 价格说明 联系我们 型号 MI5803 工作温度 标准 封装/规格 QFN8(5X6) 包装 编带 最小包装...
主营 蓝牙模块 轻触开关 霍尔传感器 m1芯片 光伏逆变器 钽电容 霍尔元件 光放大器 芯片 单片机 MOS管 场效应管 ￥0.80 查看详情 代理SHINDENGEN新电元 BRIGHTKING君耀 美国IPS LINEAR凌特 LEADTREND通嘉 ANAPEC茂达 TSC台半 RICOH理光 美国SIPEX WINBOND华邦 ￥0.75 查看详情 元器件配单 单片机 低噪声放大器 三极管 二...
一.概述 SC2996是一款降压型 PWM 控制器,该控制器可驱动最大6A 负载电流。设 计允许 SC2996 在 9V 到 38V 宽输入电压范围内工作。通过将 COMP/EN 引脚逻辑电平拉低来实 现外部关断功能,并进入待机模式。外部补…
请问有用在电动工具BLDC上的MOS管吗?要求30V,100A 推荐新电元的P100FH4ENK功率MOSFET,40V/100A,导通电阻1.6mΩ,封装TO-263AB。 2018-09-03 - 技术问答 代理服务 技术支持 采购服务 DI120N04PQ-AQ N沟道功率MOSFET 该资料详细介绍了DI120N04PQ-AQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特...
40N06-VB 是一款高性能的单 N 沟道场效应管,采用 DFN8(5X6) 封装,适用于对空间有限的应用。具有优秀的热性能和可靠性,适用于各种严苛的环境。具有 60V 的漏极-源极电压(VDS)和±20V 的栅极-源极电压(VGS),在不同工作条件下提供稳健的性能。该器件具有低的栅极阈值电压(Vth)为 2.5V,确保在低电压电路中...
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090N03LS-VB 是一款 QFN8(5X6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数: - VDS(漏极-源极电压):30V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压):1.7V- RDS(ON)(导通电阻):在 VGS=4.5V 时为9mΩ,在 VGS=10V 时为7mΩ- ID(漏极电流):80A- 技术:沟道技术 该型号的产品简介详细说明...
封装: QFN5*6 批号: 2021 数量: 10000 系列: IC 功率: 90% 特色服务: 热销供应 应用领域: 机械设备 有可授权的自有品牌: 否 产品说明: N+P沟道MOS管 是否跨境货源: 是 包装: 盘装/管装 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着...