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HI-SEMICON的PDFN5*6CLIP封装工艺30V 0.5mΩ超低内阻低压MOS管,具有以下优势:超低内阻,低导通损耗;低寄生量,低开通损耗;PDFN5X6贴片式CLIP封装,有效降低占板率,
矽源特ChipSourceTek-CST30100G是PDFN5*6封装，30V,80A的N-Mos 矽源特ChipSourceTek-CST30100G是一款高单元密度沟槽MOSFET，具有出色的RDSON和栅极电荷性能，适用于DC/DC转换器应用。其特性包括超低栅极电荷、100%EAS保证、绿色设备可用、出色的CdV/dt效应下降以及先进的高细胞密度沟槽技术。矽源特ChipSourceTek-CST...
矽源特ChipSourceTek-CST4030F是PDFN5*6封装的40V，30A的N+P-MOS 矽源特ChipSourceTek-CST4030F是一款高性能的N+P双沟道快速切换Mosfets，具有高细胞密度和优异的RDSON和栅极电荷性能，适用于大多数同步降压转换器应用。该产品符合RoHS和绿色产品要求，100% EAS保证，具有完整功能可靠性认证。矽源特ChipSourceTek-...
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DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家,KIA半导体开启了前行之路,注册资金1000万,办公区域达1200平方,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。
矽源特ChipSourceTek-CST50G30F是30V,45A的N+P-Mos。PDFN5*6封装 矽源特ChipSourceTek-CST50G30F Description/描述：矽源特ChipSourceTek-CST50G30F是N-Ch：BVDSS=30V,RDSON=7.5mΩ,ID=45A;P-Ch：BVDSS=-30V,RDSON=8.7mΩ,ID=-45A的N+P双通道快速切换Mosfets。提供PDFN5060-8L封装。The 矽源特Chip...
矽源特ChipSourceTek-CST30G30F，这位高性能、高可靠性的电源管理器件，可是30V、30A的N+P-Mos哦。它封装PDFN5060-8L，适用于各种电源转换应用，如AC-DC、DC-DC等。它采用先进的深沟槽技术，具有高耐压、低内阻、优秀的开关性能和良好的热稳定性，完全符合RoHS和绿色产品要求呢。矽源特ChipSourceTek-CST30G30...