C. 等离子增强化学气相沉积（PECVD）等离子增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）是一种利用等离子体来促进化学反应的CVD工艺，能够在较低温度下实现高质量薄膜的沉积。工作原理及设备 PECVD的工作原理是利用高频电场产生等离子体，促进气相前驱体的化学反应，并在基材表面沉积薄膜。设备主要...
物理气相沉积(PVD)指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积,包括蒸发、溅射、离子束等; 化学气相沉积(CVD)是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积一层固体膜的工艺,根据反应条件(压强、前驱体)的不同又分为常压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)...
3、按反应室壁温度，有热壁CVD和冷壁CVD 。热壁是指壁温高于晶片温度，通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于晶片温度，可采用射频感应或电阻发热方式在反应室内对基座进行加热。4、按反应激活方式，有等离子激活 （PECVD） 、热激活和紫外光激活等。 等离子体增强化学气相淀积...
ALD与CVD技术之间既存在明显的区分度，又在部分常规应用场景中存在可替代性。具体情况如下：①在PERC电池背钝化Al的沉积工艺中，ALD技术与PECVD技术存在互相替代的关系 在2016年之前，PECVD在PERC电池背面钝化的应用被迅速推广，原因是在常规单晶电池制造工艺流程中，仅电池正面需要用PECVD镀SiNX，因此电池厂商选择PERC电池...
等离子增强CVD（PECVD）：通过等离子体激发反应气体，使其在较低温度下沉积到基片上。PECVD工艺在较低温度下可实现高质量膜层的制备，适合制备在热敏基片上的薄膜，如显示屏中的光学膜层。CVD技术在光学镀膜中主要用于制备介质膜，尤其是高质量的抗反射和波片薄膜。C. 离子束辅助沉积（IAD）离子束辅助沉积（IAD）是...
热CVD 原理：在高温下将含有镀膜材料的气体引入真空室，气体在基底表面分解，形成固态膜层。设备特点：热CVD设备包括加热系统、气体输送系统和精确的温度控制单元。这种方法可以生产高质量的膜层，适合于需要高温反应以形成膜层的材料。等离子体增强CVD（PECVD）原理：利用等离子体的能量来降低化学反应的所需温度，并促进...
C. 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)是一种利用等离子体来促进化学反应的CVD工艺,能够在较低温度下实现高质量薄膜的沉积。 工作原理及设备 PECVD的工作原理是利用高频电场产生等离子体,促进气相前驱体的化学反应,并在基材表面沉积薄膜。设备主要包括...
目前,主流的TOPCon层沉积技术主要有LPCVD、PECVD和 PVD 三种技术路线。 LPCVD全称为低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition),该技术优点在于工艺成熟、控制简单容易,但难于镀膜速度慢,同时存在原位掺杂、有绕镀、石英件沉积严重、类隐裂等问题。
化学气相沉积（CVD）被定义为由于气相化学反应而在基体表面上沉积固体薄膜，是一种薄膜工艺，其中沉积物质...
等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)是一种利用等离子体来促进化学反应的CVD工艺,能够在较低温度下实现高质量薄膜的沉积。 工作原理及设备 PECVD的工作原理是利用高频电场产生等离子体,促进气相前驱体的化学反应,并在基材表面沉积薄膜。设备主要包括等离子体发生器、反应腔、气体输送系...