本研究将通过实验探究PSN-PZT压电陶瓷的性能,具体来说,研究内容如下: (1)研究PSN-PZT压电陶瓷的晶体结构和微观结构特征。 (2)研究PSN-PZT压电陶瓷的压电性能,包括其压电系数、介电常数和压电质量因子等。 (3)调制PSN-PZT压电陶瓷的表面形貌,提高压电性能。 2.技术路线 本研究的技术路线分为以下几个步骤: (...
压电陶瓷在是声、电声、激光、通讯和智能等高技术领域中不可缺少的功能材料，应用于液晶显示背光电源，尤其在大尺寸、高亮度的液晶显示器中显示出巨大的应用前景，固相法制备的PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷,系统地研究了PSN组分含量对PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷的相结构、显微形貌及介电性能和压电性能的...
本发明公开了一种PSNPZT压电陶瓷片及其制备方法.该PSNPZT压电陶瓷片的配方化学计量通式为:PbSr{(ZrTi)+(SbNb)}O+xwt%CoO,x=0.05～0.3.其制备方法是:将各原料球磨后烘干,粉碎,过筛,预烧后再球磨,然后再烘干,粉碎,过筛,与聚乙烯醇混合,造粒,压制成坯件,580～630℃排胶后再1210～1270℃,烧制成陶瓷片,...
BCG-PSN卡介苗多糖核酸是一种卡介苗细菌(Bacillus Calmette-Guérin, BCG)细胞壁多糖核酸的复合物,其中PSN代表聚苯乙烯纳米粒子(Polystyrene Nanoparticles)。 聚苯乙烯纳米粒子(Polystyrene Nanoparticles, PSN)是由聚苯乙烯(Polystyrene, PS)构成的纳米级颗粒。它们通常有直径在1到100纳米之间的尺寸,并且有良好的物理化学性质...
高压电常数PSN-PZT压电陶瓷的制备与性能研究
中国科学院上海硅酸盐研究所申请一项名为"一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN-PZT基压电陶瓷材料及其制备方法"的专利,申请日期为2024-07-03。专利摘要显示,本发明涉及一种兼具高机械品质因数和大压电系数的PSN‑PZT基压电陶瓷材料及其制备方法。所述PSN‑PZT基
采用传统的固相烧结法制备了三元系Pb0.82Sr0.13Ba0.05(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98O3-wBi2O3(PSN-PZT-wBi)压电陶瓷,并研究了Bi3+掺杂对压电陶瓷电性能的影响.结果表明,当Bi2O3掺杂量在0.25wt%时,PSN-PZT压电陶瓷具有最优异的电学性能:d33=980 pC/N,kp=0.83,εr=6 855,tanδ=0.04,Tc=15...
1. 一种三元系PSN-PZT压电陶瓷片,其特征在于配方化学计量通式为:Pb1TyMxZy (Sb1/ 3M32/3) Q.Q2 (Zri/2Tii/2) o.98+zwt%Bi2〇3,其中,x=0〜O · 17、y=0〜O · I、z=0〜O · 4,M、Z为SrC〇3、 BaCO3或CaCO3中的至少两种。 2. 根据权利要求1所述的三元系PSN-PZT压电陶瓷片,其...
以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量、B位离子Nb缺位量、ZrO2的减少量、微量添加元素、烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响.结果表明: PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04.B位离子Nb的缺位可... 查看全部>> ...
适量的锰掺杂不仅可以优化材料的压电性能,而且可以改善体系的温度 稳定性能同时,锰掺杂使PSN—PZN—PzT陶瓷的损耗tan#降低,机械品质因数0。,增高,当掺 杂量为0 5wt%时压电陶瓷具有最好的综合机电性能:d”=313pC/N,k。=0.52,Q。=1466, tan8=0.40%,有望在超声马达中获得应用 关键词:四元系压电陶瓷;压电...