以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备PSN-PZT压电陶瓷,并研究PSN含量,B位离子Nb缺位量,ZrO2的减少量,微量添加元素,烧结工艺参数对陶瓷压电性能的影响.结果表明:PSN的加入使PZT的准同型相界点向富钛方向移动,当PSN的摩尔分数为3%,材料的最佳锆钛比r(Zr/Ti)=1.04.B位离子Nb的缺位可大幅度降低材料的烧结温度...
摘要 本发明公开了一种三元系PSN‑PZT压电陶瓷片及其制备方法。该三元系PSN‑PZT压电陶瓷片的配方化学计量通式为:Pb1‑x‑yMxZy(Sb1/3Nb2/3)0.02(Zr1/2Ti1/2)0.98+zwt%Bi2O3,x=0~0.17、y=0~0.1、z=0~0.4,M、Z为SrCO3、BaCO3或CaCO3中的至少两种。其制备方法是:将各原料球磨后烘干、粉碎、...
压电陶瓷在是声、电声、激光、通讯和智能等高技术领域中不可缺少的功能材料,应用于液晶显示背光电源,尤其在大尺寸、高亮度的液晶显示器中显示出巨大的应用前景,固相法制备的PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷,系统地研究了PSN组分含量对PZT-PMS-PSN四元系压电陶瓷的相结构、显微形貌及介电性能和压电性能的...
适量的锰掺杂不仅可以优化材料的压电性能,而且可以改善体系的温度 稳定性能同时,锰掺杂使PSN—PZN—PzT陶瓷的损耗tan#降低,机械品质因数0。,增高,当掺 杂量为0 5wt%时压电陶瓷具有最好的综合机电性能:d”=313pC/N,k。=0.52,Q。=1466, tan8=0.40%,有望在超声马达中获得应用 关键词:四元系压电陶瓷;压电...
摘要 本发明公开了一种La掺杂PSN‑PNN‑PZT压电陶瓷,其化学式Pb1‑xLax[(Ni1/3Nb2/3)0.3(Zr,Ti)0.685(Sb1/2Nb1/2)0.015]O3,其中x=0.5~1.5%。先按化学计量比配料、球磨、烘干后于750℃合成;再经二次球磨后,烘干,过筛,得到陶瓷粉体;再外加8%PVA造粒,压制成型为坯体;坯体于650℃排胶处理,于126...
BCG-PSN卡介苗多糖核酸是一种卡介苗细菌(Bacillus Calmette-Guérin, BCG)细胞壁多糖核酸的复合物,其中PSN代表聚苯乙烯纳米粒子(Polystyrene Nanoparticles)。 聚苯乙烯纳米粒子(Polystyrene Nanoparticles, PSN)是由聚苯乙烯(Polystyrene, PS)构成的纳米级颗粒。它们通常有直径在1到100纳米之间的尺寸,并且有良好的物理化学性质...
Ba 2+取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响 维普资讯 http://www.cqvip.com
大功率PZT—PMS—PSN四元系压电陶瓷的研究
有机小分子是由碳和氢以及其他一些元素组成的相对较小的有机化合物。它们通常是药物研究和开发中的重要对象,因为它们可以作为药物的候选化合物。有机小分子可以通过与蛋白质,DNA或其他生物大分子相互作用来调节生物过程,比如调节信号传导,促进或抑制细胞凋亡,或者抑制酶活性等。
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