总之,该研究采用TGG法成功制备了不同BT模板含量的高取向[001]C织构的PNN-PZT陶瓷。系统研究了织构化PNN-PZT-xBT陶瓷的结构、畴形态、介电性能、压电性能和机电耦合性能。结果表明,织构化工程策略可以在提高PNN-PZT陶瓷压电性能的同时降低其介电常数,从而显著提高机电耦合器件的g33⋅d33值。对于PNN-PZT-2BT织构陶...
本实验制备了0.36Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.24PbZrO3-1.40PbTiO3(PNN-PZT)陶瓷,并对其进行了织构化工程以改善其机电性能和温度稳定性。随后,我们使用PNN-PZT、PNN-PZT织构陶瓷制备了单元件超声换能器,并以PZT-5H陶瓷基换能器为基准对该换能器性能进行了评估和比...
近日,深圳大学董蜀湘教授团队的彭巍副研究员通过AB 位掺杂Li和Nb,引起的点缺陷对,实现PNN-PZT陶瓷的压电系数显著提升,d33~902 pC/N。0.38PNN-0.25PZ-0.37PT0(PNN-PZT)压电陶瓷本身具有较高的压电系数(780 pC/N),且居里温度较高(1...
研究了PNN-PZT压电陶瓷的制备情况与性能表征.PNN-PZT陶瓷的铁电性与压电性得到证实.使用TF Analyzer 2000测量极化强度与电场之间的关系,结果表明PNN-PZT材料有典型的铁电性.采用传统的固相合成工艺,组分中多加1%PbO,可防止焦绿石相产生.它能使得压电陶瓷的压电常数d33达到425pC/N,机械品质因数Qm到115,介质损耗也...
【VIP专享】PNN-PZT陶瓷 出版商处的全文查看摘要 查看摘要 查看摘要 查看摘要
(PNN-PZT)陶瓷在1230℃烧结的综合性能最佳:d 33 =629pC/N, K p =0.75,Q m =66,ε 33 T /ε 0 =3860,tanδ=0.0134。 在上述基础上,为实现陶瓷的低温烧结,分别选取 0.5PbO-0.5B 2 O 3 玻璃和 0.1wt.%CuO-xwt.%LiBiO 2 作助烧剂,研究了不同含量助烧剂对 PNN-PZT 陶瓷的烧结 ...
低温烧结PNN.PZT陶瓷研究 姜斌,叶耀红,李德红,邓宏,李阳,曾娟,王恩信 (电子科技大学信息材料工程学跨0四Ⅲ成都6toos4) 摘要:采用崔三无乐田溶体..
http://www.paper.edu.cn PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷在准同型相界处的 压电介电性能研究1刘培祥,孙清池,何杰,李红元天津大学材料学院,天津(300072) E-mail:liupeixiang1130@hotmail.com 摘要:本文研究了 PMN-PNN-PZT 四元系压电陶瓷在准同型相界处的压电介电性能。研究结 果表明,Ti 含量在 0.370 和 ...
The effects of dopants on the sintering temperature and dielectric properties of the PNN-PZT ceramics have been investigated. In this paper, we successfully showed that these additives were helpful in both the lowering of the sintering temperature and the improvement of the dielectric properties. The...
“PZT含量对PZT-PZN-PNN压电陶瓷材料电性能的影响”文献出自《第六届中国功能材料及其应用学术会议》。主题关键词涉及有PZT-PZN-PNNN陶瓷、压电陶瓷材料、固相法、相结构、压电性能、介电性能等。钛学术提供该文献下载服务。