PZT-PZN-PNN相结构压电性能介电性能采用传统固相法制备了xPb(Zr0.52Ti0.48)O3-(1-x){Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3}(简称PZT-PZN-PNN)四元系压电陶瓷,研究了不同PZT含量对PZT-PZN-PNN陶瓷的相结构,显微结构,压电性能和介电性能的影响.结果表明:材料的压电常数(d33),机电耦合系数(%)和介电...
本实验制备了0.36Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-0.24PbZrO3-1.40PbTiO3(PNN-PZT)陶瓷,并对其进行了织构化工程以改善其机电性能和温度稳定性。随后,我们使用PNN-PZT、PNN-PZT织构陶瓷制备了单元件超声换能器,并以PZT-5H陶瓷基换能器为基准对该换能器性能进行了评估和比...
系统研究了织构化PNN-PZT-xBT陶瓷的结构、畴形态、介电性能、压电性能和机电耦合性能。结果表明,织构化工程策略可以在提高PNN-PZT陶瓷压电性能的同时降低其介电常数,从而显著提高机电耦合器件的g33⋅d33值。对于PNN-PZT-2BT织构陶瓷,其d33、d33*和g33⋅d33的值可分别达到1210 pC N-1、1773 pm V-1和21.9...
近日,深圳大学董蜀湘教授团队的彭巍副研究员通过AB 位掺杂Li和Nb,引起的点缺陷对,实现PNN-PZT陶瓷的压电系数显著提升,d33~902 pC/N。0.38PNN-0.25PZ-0.37PT0(PNN-PZT)压电陶瓷本身具有较高的压电系数(780 pC/N),且居里温度较高(1...
低温烧结PNN.PZT陶瓷研究 姜斌,叶耀红,李德红,邓宏,李阳,曾娟,王恩信 (电子科技大学信息材料工程学跨0四Ⅲ成都6toos4) 摘要:采用崔三无乐田溶体..
(PNN-PZT)陶瓷在1230℃烧结的综合性能最佳:d 33 =629pC/N, K p =0.75,Q m =66,ε 33 T /ε 0 =3860,tanδ=0.0134。 在上述基础上,为实现陶瓷的低温烧结,分别选取 0.5PbO-0.5B 2 O 3 玻璃和 0.1wt.%CuO-xwt.%LiBiO 2 作助烧剂,研究了不同含量助烧剂对 PNN-PZT 陶瓷的烧结 ...
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“PZT含量对PZT-PZN-PNN压电陶瓷材料电性能的影响”文献出自《第六届中国功能材料及其应用学术会议》。主题关键词涉及有PZT-PZN-PNNN陶瓷、压电陶瓷材料、固相法、相结构、压电性能、介电性能等。钛学术提供该文献下载服务。
当PZT含量为0.83时,四元系PZT-PZN-PNN压电陶瓷在较低的烧结温度(1000℃)下烧结,其主要的电性能参数如下:d33=477pC/N,Kp=0.71,Qm=98,εf=2228,tanδ=0.0070,Tc=325℃,根据双晶片对压电陶瓷材料的性能要求,该纽份可作为纺织机械中选针器用压电双晶片的侯选材料。 【总页数】4页(P706-709) 【作者】杨...
采用传统固相法制备了xPb(Zr0.52Ti0.48)O3-(1-x){Pb(Zn1/3NB2/3)O3-Pb(Ni1/3NB2/3)O3}(简称PZT-PZN-PNN)四元系压电陶瓷,研究了不同PZT含量对PZT-PZN-PNN陶瓷的相结构、显微结构、压电性能和介电性能的影响。结果表明:材料的压电常数(d3)、机电耦合系数(Kp)和介电常数(εr)随着PZT含量的增加先增...