PN7113W是一款基于P_SUB P_EPI工艺的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下,可用于驱动2个N-MOSFET或IGBT。 该芯片逻辑输入电平兼容低至3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性,以简化在高频下的应用。PN7113可以应用在中小型功率电机驱动、功...