采用P沟道MOSFET技术,具有低导通电阻和高性能特点。丝印标识为VBI2658,封装为SOT89-3,适用于各种应用场合。 ### 详细参数说明 - 类型: P沟道- 额定电压 (VDSS): -60V- 最大电流 (ID): -5A- 导通电阻 (RDS(ON)): 58mΩ @ VGS=10V; 20V- 门阈电压 (Vth): 1~3V- 封装: SOT89-3 ### 适用...
此外,由于其适用于负载为正电压的电路,也可以应用于电源开关模块,确保整个照明系统在不同负载下工作稳定。因此,这款晶体管在LED照明系统中发挥关键作用,实现对亮度和电源的高效控制。
AP2323GN-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,专为要求高性能和可靠性的电源管理和开关电源应用而设计。其优越的导通特性和低阈值电压使其适用于多种电源设计。 - **应用领域:** 1. **电源开关:** 适用于各种电源开关电路。 2. **稳压器:** 在稳压器中发挥关键作用,提供稳定的输出电压。 3. **DC-DC转换器:*...
2309GN-VB是一款P-Channel沟道、SOT23封装的MOSFET晶体管,具有优良的电气性能和可靠性。该MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,有效降低了导通电阻(RDS(ON)),提高了效率。每个器件都经过100%的Rg测试,确保了产品的质量与一致性。 应用范围广泛,包括移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等领域。
- TrenchFET® Power MOSFET:通过采用先进的沟槽技术,该MOSFET具备较低的导通电阻(RDS(on)),能够有效降低功耗。 - 100% Rg 测试:确保了器件的一致性和可靠性。 # 应用范围 - 移动计算设备: - 负载开关:用于控制电源的开启与关闭,实现电源管理功能。 - 笔记本适配器开关:在电源适配器中起到关键的开关作用。
1. **电源管理模块:** AM3407RA-VB可应用于电源管理模块,用于电池充电和放电保护等功能。 2. **开关电源:** 由于其较高的电流和低漏电阻,可用于开关电源中,如DC-DC转换器和开关模式电源。 这款器件适用于需要P-Channel MOSFET的电源电子应用中,例如便携式电子设备、电池管理系统、电源逆变器等。
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适用于中低电压、中电流的功率开关应用,特别是在需要 P—Channel MOSFET 的场合,用于电源开关、电源逆变和小功率电机控制。 **领域模块及作用:** 1. **小功率电源开关模块:** 用于小功率开关电源,如便携式设备充电器。 2. **电源逆变模块:** 适用于逆变器,将直流电源转换为交流电源。
p沟道锗硅异质纳米结构mosfet存储器及其逻辑阵列 p-channel gesi hetero-nanocrystal based mosfet memoryand its logic array 文档格式: .pdf 文档大小: 248.78K 文档页数: 6页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: 0 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 幼儿/小学教育--教育管理 ...