一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种(100)择优取向的PMN-PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法说明:本发明公开一种(100)择优取向的PMN‑PZT/PZT异质结构薄膜的制备方法,属于压电薄膜材...专利查询请上爱企查
采用流延法制备了PVDF/PMN-PZT两相3-0型柔笥复合驻极体薄膜,研究了其形成了 结构,探讨了电晕注极技术,以及复合驻极体的介电,压电与电荷存贮效应与机理.该柔性复合驻极薄膜厚50-150μm,压电应变常数d33为 35-45pC/N,相对介电系数εr为60-80,寿命≥55年.doi:CNKI:SUN:DZAL.0.1997-05-003杨大本电子科技...
原子氧处理减小多晶pzt_pmn薄膜漏电流的实验研究,漏电流,泄漏电流,泄漏电流测试方法,避雷器泄漏电流,漏电流传感器,漏电流测试方法,二极管反向漏电流,电容漏电流,泄漏电流测试仪 文档格式: .pdf 文档大小: 418.83K 文档页数: 5页 顶/踩数: 0/0 收藏人数: ...
对PZT性能的影响.通过XRD测得所有薄膜具备单一的钙钛矿相和(111)择优取向.使用扫描电子显微镜(SEM)观察到多层薄膜呈现致密的没有明显缺陷的钙钛矿结构.研究发现,在PMN-PZT和PZT的厚度比为2:1的条件下介电性能达到最佳,在频率为1 kHz时测得εr = 1237.9,tanδ = 0.048.使用标准铁电测试系统测得PMN-PZT和PZT的...
实验结果表明:经原子氧处理后的PZT-PMN薄膜,①表面粗糙度下降且有非晶层形成;②表层有大量的氧原子进 入;③漏电流密度减小了大约一个数量级,外加电压为2.5 V时,未处理样品的漏电流密度为3×10-5A/cm2,处理样品的漏电流密度降为4.5×10-6A/cm2.原子氧对PZT-PMN薄膜内部晶界,缺 陷的钝化是薄膜漏电流减小的...