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摘要: 以较低温度烧结获得的PMN—PT块材料为靶,采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上制备了 PMN—PT薄膜,研究了后续退火处理对PMN—PT薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示,采用脉冲激光沉积可获得质量较好的钙钛矿结构的PMN—PT 薄膜,优化的后续退火温度大约在550℃～750℃之间.关键词:...
薄膜的相对介电常数达到了2800,接近了体材料的介电常数.PMN-PT铁电薄膜在高压端正向和负向偏压下呈现不同的导电机制,PMN-PT/LSCO界面为P-F导电机制,PMN-PT/Pt界面为肖特基导电机制.在AM1.5G的光照下PMN-PT薄膜异质结的Jsc为83.28μAcm-2,开路电压为1.89 V,效率达到了0.049%.通过调控铁电单晶及薄膜的极化方向...
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具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法 热度: 博士学位论文 2-2型CoFe 2 O 4 /PMN–PT复合薄膜 取向生长与磁电耦合效应 ORIENTATIONGROWTHAND MAGNETOELECTRICCOUPLINGEFFECTOF 2-2TYPECoFe 2 O 4 /PMN–PTCOMPOSITEFILMS ...
1.一种利用CoFeO定向调控PMN‑PT薄膜生长取向的压电材料,其特征在于,包括:衬底,所述衬底具有特定晶面取向;底电极层,形成于所述衬底上;调控层,形成于所述底电极层上,所述调控层为基于所述底电极层生长的CoFeO(CFO)层;外延层,形成于所述调控层上,所述外延层为基于所述调控层生长的[(X)Pb(MgNb )Y 1‑...
PMN-PT[(1-x)PbMg_(1/3)Nb_(2/3)-xPbTiO_3,其中:0<x<0.4]系透明光电陶瓷除具有二元固溶体体系的铅基驰豫型复合钙钛矿结构铁电材料优异的介电性能和电致伸缩性能外,还具有极高的电光系数,低插入损耗,宽透光频谱,陶瓷耐久性等优良特性,是制造各类光电器件的理想材料.相对于铌酸锂晶体等材料的加工,PMN-PT...
(lead magnesio-niobate titanate,PMN-PT)薄膜,研究PMN-PT薄膜的热处理技术,并测试制备的PMN-PT薄膜样品的晶向结构及电性能.结果表明:PMN-PT薄膜在450℃退火就能完全晶化成钙钛矿结构,其热释电系数达到0.9×10-8 C/(cm2·K),有望解决目前阻碍集成式铁电型非制冷焦平面探测器技术发展的瓶颈问题,即铁电薄膜晶化...
摘要: 利用射频磁控溅射方法生长掺钛铌镁酸铅-钛酸铅(lead magnesio-niobate titanate,PMN-PT)薄膜,研究PMN-PT薄膜的热处理技术,并测试制备的PMN-PT薄膜样品的晶向结构及电性能。结果表明:PMN-PT薄膜在450℃退火就能完全晶化成钙钛矿结构,其热释电系数达到0.9×10-8C/(c... 查看全部>> ...