由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%...
目前公认的可替代PERC的技术有三个,TOPCon、HJT和IBC,其中N型IBC技术因其成本较高,现阶段无法与TOPCon与HJT竞争(IBC技术在未来是可以与其他技术叠加),故而目前最有可能替代PERC的是TOPCon与HJT技术。 N型HJT也是目前市场热议的一个技术路线,但此技术路线存在几个...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
N-TOPCon电池结构 两种工艺生产流程 三.N型电池②:HJT(异质结),降本利器 HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin-film)——本征薄膜异质结电池。具备对称双面电池结构,中间为N型晶体硅。正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,从而形成P-N结。背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,以形成背表面场。
(2)采用低温工艺→更小热损伤:HJT 全程在 200℃以下的环境中制成,对比之下 PERC 扩 磷环节温度需高于 850℃,TOPCon 扩硼环节温度则在 1100℃以上。低温工艺有助于减少 硅片制备过程中的热损伤并节约燃料。 (3)双面率高→更高发电量:HJT 电池为双面对称结构,电池双面率最高可达 90%;而 PERC 和 TOPCon 在...
Topcon电池的核心原理，就是在Pert的结构上多增加两层结构。图中蓝色部分，超薄隧穿氧化硅层，是Topcon...
PERC、TOPCon、HJT、IBC的电池片技术路线对比: 1、PERC:PERC电池的工艺流程相对简单且设备成熟,近两年来,标配一些提效工艺,如激光SE、碱抛、光注入/电注入等。PERC技术以背面钝化层的沉积和激光开槽为主,后续在此基础上进行工艺改进优化时增加正面SE激光和光注入/电注入退火等工艺。
TOPCon分成两种,一个是单面(只有背表面做多晶硅钝化)27.1%,双面TOPCon(前表面也做多晶硅)28.7%; HJT双面28.5%。 最高实验室效率: PERC是24%; TOPCon是26%,是德国4厘米的小面积实验室记录,大面积来看晶科商业化最高效率是25.4%; HJT是隆基M6商业化达到26.3%。
综上所述,HJT、TOPCon和PERC是目前晶硅太阳能电池中常见的三种技术原理。这些技术原理都通过优化电池结构和界面特性来提高太阳能电池的效率和性能。随着技术的不断进步和发展,相信这些技术原理还会有更多的突破和创新,为太阳能产业的发展做出更大的贡献。©