目前公认的可替代PERC的技术有三个,TOPCon、HJT和IBC,其中N型IBC技术因其成本较高,现阶段无法与TOPCon与HJT竞争(IBC技术在未来是可以与其他技术叠加),故而目前最有可能替代PERC的是TOPCon与HJT技术。 N型HJT也是目前市场热议的一个技术路线,但此技术路线存在几个...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰...
由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的。HJT电池的表面沉积有TCO薄膜,无绝缘层,因此无表面层带电的机会,从结构上避免PID 发生。HJT电池首年衰减1-2%,此后每年衰减0.25%,远低于PERC电池掺镓片的衰减情况(首年衰减2%,此后每...
N-TOPCon电池结构 两种工艺生产流程 三.N型电池②:HJT(异质结),降本利器 HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin-film)——本征薄膜异质结电池。具备对称双面电池结构,中间为N型晶体硅。正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,从而形成P-N结。背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,以形成背表面场。
1)TOPCon电池采用N型硅片,需要在PERC产线上增加硼扩设备,背面的SiO2隧穿层 和掺杂多晶硅层,分别采用原位热氧和原位掺杂的方式在 LPCVD(低压化学气相沉积) 中沉积,因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD 和湿法刻蚀设备。2)HJT电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN结由不同材料构成),最高工艺温度不 能...
(2)采用低温工艺→更小热损伤:HJT 全程在 200℃以下的环境中制成,对比之下 PERC 扩 磷环节温度需高于 850℃,TOPCon 扩硼环节温度则在 1100℃以上。低温工艺有助于减少 硅片制备过程中的热损伤并节约燃料。 (3)双面率高→更高发电量:HJT 电池为双面对称结构,电池双面率最高可达 90%;而 PERC 和 TOPCon 在...
现阶段双面PERC,TOPCon能产业化的是单面,我们按照严格CTM100,主要是23.7%-24%之间; 双面非晶HJT大规模量产的是24.3%,反推等效效率24%左右。下一阶段HJT2.0可以到25%,3.0到25.5%。 TOPCon有些企业宣称今年24.5%,明年25%,后年25.5%,从技术来讲,提高效率不是在产线上积累效率就能提高,而是必须有技术设计才有提高...
双面非晶HJT大规模量产的是24.3%,反推等效效率24%左右。下一阶段HJT2.0可以到25%,3.0到25.5%。 TOPCon有些企业宣称今年24.5%,明年25%,后年25.5%,从技术来讲,提高效率不是在产线上积累效率就能提高,而是必须有技术设计才有提高。 TOPCon想再提高,如果只是在背表面钝化难度是比较大的,有可能双面钝化,双面钝化前表...
最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极,即为异质结电池的典型结构。图:HJT电池示意图图:HJT电池制备流程图3.2 HJT电池:隆基股份图:隆基乐叶HJT电池示意图下图图例,1-第一金属电极,银2-第一透明导电层(TCO膜)3-n型非晶硅层(掺磷)4-第一本征非晶硅层5-硅基底层6-二氧化硅层(6第二本征非晶硅层)7-p型...