工艺温度:温度范围大概在 200 - 400℃。该工艺利用等离子体的能量来激活化学反应,因此可以在相对较低的温度下进行薄膜沉积。较低的温度使得 PECVD 适用于多种衬底材料,包括一些不耐高温的有机材料和塑料等。例如,在制备用于显示器件的薄膜时,较低的工艺温度可以避免对衬底造成热损伤,保证显示器件的性能和可靠性。 ...
PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 （其它影响因素：射频功率、气体稀释比（H2：SiH4）、气体压强等）让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible 目录 1本底真空对薄膜制备的影响 2衬底温度对薄膜制备的影响 3衬底温度对薄膜性能影响的两篇报道和规律总结 让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible ...
【简答题】电子工业中清冼硅片上的二氧化硅的反应是:SiO2(s)+4HF(g)==SiF4(g)+2H2O(g) 其△H(298K)== -94.0kJ·mol-1 △S(298K)== -75.8J·mol-1·K-1 设△H和△S不随温度变化而变化,试求此反应自发进行的温度条件。 查看完整题目与答案 【单选题】喜凉作物一般需≥10℃的积温为()。 A...
摘要:利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数。 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的氮化硅薄膜作为理想的减反射膜,具有很好的表面钝化作用,已被广泛...
PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 (其它影响因素:射频功率、气体稀释比(H2:SiH4)、气体压强等) 目录 1本底真空对薄膜制备的影响 2衬底温度对薄膜制备的影响 3衬底温度对薄膜性能影响的两篇报道和规律总结 本底真空对薄膜制备的影响 本底真空度低时,腔室中含有的杂质气体分子较多,在反应或沉积的过程...
本实用新型公开了一种新型PECVD工艺腔体温度控制装置,包括壳体,所述壳体的底部四角处均安装有底座,所述壳体的内部设置有加热器,所述电动导块的一侧通过连杆固接有背板,所述环形滑轨的外侧设置有多个温度传感器,多个所述温度传感器的外壁与壳体的多个通孔固定连接,所述环形滑轨的上方设置有控制器,所述控制器的底部与...
#PECVD #气相沉积设备 #气相沉积 #等离子模块 #等离子 CVD(化学气相沉积)加等离子体技术,通常称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD),是一种广泛应用于半导体制造、光电器件、薄膜涂层等领域的先进工艺。该技术结合了CVD和等离子体的优点,具有以下主要优势:优势1.低温沉积PECVD可以在较低的温度下实现沉积。这特别适合于...
PECVD工艺参数对薄膜制备的影响 本底真空/衬底温度 （其它影响因素：射频功率、气体稀释比（H2：SiH4）、气体压强等）让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible 目录 1本底真空对薄膜制备的影响 2衬底温度对薄膜制备的影响 3衬底温度对薄膜性能影响的两篇报道和规律总结 让不可能成为可能 MakingtheIMPOSSIBLEpossible ...
衬底温度(℃) 沉积压强(Pa) P层 硅烷、硼烷、氢气、甲烷 5e-4Pa 208 1000 220 I层 硅烷、氢气 5e-4Pa 1440 600 220 N层 硅烷、磷烷、氢气 5e-4Pa 214 2000 220 20120721_PECVD工艺参数对薄膜制备的影响之本底真空衬底温度 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处. ...