HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、SACVD(亚常压化学气相沉积)是常见的化学气相沉积工艺,它们的工艺温度和压力范围会因具体的工艺需求、沉积材料和设备等因素有所不同,以下为你详细介绍:HDPCVD 工艺温度:通常在 300 - 600℃之间。相对较低的温度有助于减少对衬底材料的热损
PECVD技术在薄膜硅压力传感器的制造中发挥着关键作用。通过PECVD技术,可以制备出高质量的硅薄膜,这些薄膜具有良好的弹性和电学性能,是进行压力检测的理想材料。 在实际应用中,首先利用PECVD技术在硅片上沉积一层薄膜,再经过后续的加工和封装...
摘要:文章重点分析了管式PECVD镀膜均匀性的影响因素。通过改变PECVD镀膜过程中的腔体压力、镀膜前的恒温时间及金字塔绒面均匀性、石墨舟清洗配方等因素进行实验研究。结果显示,适当降低PECVD镀膜压力,增加镀膜前恒温时间、提升镀膜前硅片绒面均匀性、降低石墨舟表面粗糙度可以提升PECVD镀膜均匀性。 代同光,李拴,郭永刚,宋...