P-I-N半导体二极管及其形成方法 (57)摘要 在半导体衬底上形成一种具有高纵横比的柱形p-i-n二极管的装置。通过在位于所述柱的每个末端处的P+区域与N+区域之间的本征或轻掺杂的区域(i区域)形成每一个器件。所述p-i-n二极管的装置被嵌入在光学透明介质中。对于给定的表面面积,所述柱p-i-n二极管的装置比常规平...
纯净半导体中参入受主杂质后，受主杂质电离，使空穴浓度增加，增强半导体的导电能力，把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 N型半导体同理
x=53的成分与InP晶格匹配,带隙为0.74eV,灵敏度范围为0.9-1.7μm。通常这些材料的基础工程是p-i-n二极管。在n+-或p+-型InP衬底上生长InGaAs异质结构(层的顺序、厚度和掺杂)具有多样化。这里需要注意的是i-InGaAs吸附层的厚度(从1到5μm)和杂质浓度(从1×1014到5×1017cm-3)。p-i-n光电二极管技术需要特...
高性能的InGaAs的p-i - n光电二极管 “意法半导体有源器件贴装 13PD150-ST 该13PD150 -ST是一种InGaAs光电二极管具有150微米直径的感光区域 封装在TO - 46头和对齐在一个AT&T ST有源器件装配,旨在为 高的耦合效率,以多模光纤在中度至高速应用。平面 ...
首先应说的是本征半导体、P型半导体和N型半导体的形成。 本征半导体:一般而言,人们将纯净的、未加入杂质的、具有晶体结构的半导体称之为本征半导体(intrinsic semiconductor)。常用的本征半导体材料是单晶体的硅元素或锗元素(两者原子结构相同,最外层都是四个电子--也称价电子)。
p-i-n单结非晶硅薄膜太阳能电池各层结构中,可以起阻挡金属离子扩散到半导体中的是碳过渡层。暂无答案更多“p-i-n单结非晶硅薄膜太阳能电池各层结构中,可以起阻挡金属离子扩散到半导体中的是碳过渡层。”相关的问题 第1题 单结p-i-n结构微晶硅薄膜太阳能电池中,TCO层为电池的()。 A、前电极 B、背电极 C...
【题目】 常见的半导体材料分为 P 型半导体和 N 型半导体, P 型半导体中导电载流子是空穴 ( 看作带正电 ) , N 型半导体中导电栽流子是电子,利用如图所示的方法可以判断半导体材料的类型并测得半导体中单位体积内的栽流子数 。 现测得一块横截面为矩形的半导体的宽为 b ,厚为 d ,并加有与侧面垂直的匀...
半导体材料有P型半导体和N型半导体两种,除了可以用于各种电子元器件外,还可以用制冷材料.如图是一个半导体制冷单元的原理图,P型半导体和N型半导体的上端和铜片A连接,下端分别与铜片B连接后接到直流电源的两端,此时电路的电路流方向是从N型半导体经铜片A流向P型半导体,铜片A会从空气吸收热量,铜片B会向空气放出热量;...
只要把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起,就构成一个PN结。 答案:错误 手机看题 你可能感兴趣的试题 判断题 使用万用表测量小功率二极管时,可选用任何电阻挡进行测试。 答案:错误 手机看题 判断题 半导体的导电能力随外界温度、光照或渗入杂质不同而显著变化。 答案:正确 手机看题 AI智答 联系客服周一至...
P–I–N光电二极管是一种具有P-I-N结构的光电二极管。它的诞生是为了满足现代通信、医疗、科研等领域对于光电转换精度和速度的需求。P–I–N光电二极管由于其独特的结构,使得其在光电转换效率、响应速度等方面具有优秀的性能。 2. 相关理论或原理 P–I–N光电二极管的工作原理主要是利用了半导体材料的光电效应。当...