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PIN二极管在信号放大时产生的噪声较低,并由于其宽耗尽区,PIN二极管在高频应用中表现出较好的电磁兼容性,从而减少了由电磁干扰引起的噪声。 高耐压能力:本征层的低掺杂区域增强了二极管的耐压能力,使其能够承受更高的反向电压。 热稳定性较优:PIN二极管的本征层提供了一种物理屏障,可以减少在高温下P型和N型区域之间...
摘要:前面主要介绍了PIN二极管的基本静态特性和开关特性,本节将介绍一个二极管重要参数:PIN二极管器件的EAS雪崩能力,主要包括雪崩耐量概念介绍、雪崩击穿机理分析、雪崩耐量测试方法、静态雪崩和动态雪崩分析、影响器件雪崩能力的一些因素分析、以及如何提高二极管的雪崩能力。 专栏持续更新,欢迎关注、点赞、收藏。 内容如有...
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PIN是半导体光探测器（光检测器）的一种，它是器件的结构来命名的，P和N分别代表高掺杂的P区和N区，I代表本征区，本征区在P区和N区中间。
F型Pin针,顾名思义,是一种具有特定形状和功能的金属针。它通常用于半导体器件、集成电路(IC)和其他电子元件的测试与连接。F型Pin针的设计旨在确保在高频、高速和高密度的电子环境中提供稳定、可靠的电信号传输。 根据不同的应用场景和需求,F型Pin针可分为多种类型,如微型F型Pin针、标准F型Pin针和定制型F型Pin...
项目分享:凯基特半导体公司的PIN高度测量方案。针对PIN数量众多且排列密集的情况,我们采用了高度过滤技术,精确地提取出每个PIN的位置以及基准面的信息,从而实现了对PIN高度的精确测量。…
SPA100-13型Si-PIN半导体探测器测量模块,集成了Si-PIN探测器、电荷灵敏前放、主放和比较输出等功能电路。可用于X、γ射线的计数测量、剂量率测量和能谱测量分析。 主要特点 1. 能量补偿型Si-PIN探测器 2. 集成电荷灵敏前放、主放和比较输出 适用于CPS计数应用系统,个人剂量仪以及能谱测量应用系统。
第8讲 1、PiN二极管的结构 阳极 p+p+ E 阴极PiN二极管实际上是p+n-n+结构 n- n+ 为什么是p+n-n+结构？承担高耐压的pn结必须一侧是低掺杂。n+ 为什么不是n+p-结？n- ·中子嬗变技术能形成非常低、非常均匀的n型掺杂；·对于给定的电压等级，p+-n-结构的 芯片厚度比n+-p-结构的更薄。结构 NPT n...
采用InGaAs/InP 外延材料制备PIN型探测器主要由于以下材料优势: 1)InGaAs/InP 三五族半导体材料具有直接能带结构、高电子迁移率、带隙可调、吸收波长长(920nm~1700nm)等特性; 2)InGaAs/InP 具有高量子效率:InGaAs 吸收层的强电场可以使光生载流子迅速分离和漂移,减小光生载流子的复合概率; ...