展望2025年,随着技术的进步和量产难题的逐步攻克,氧化镓和氮化铝等第四代半导体材料不仅将挑战现有的SiC和GaN市场,还有可能因其独特的性能优势,在特定应用领域实现超越。 从设计制造到应用,AI与半导体深度融合 AI正在引发新一轮科技革命。从语言模型、多模态模型的单体智能,到能够使用思维链CoT(Chain of Thinking)进行...
日前，三星半导体已开发出了能将逻辑芯片（Logic Chip）和4枚高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）封装在一起的新一代2.5D封装技术“I-Cube4”。三星半导体I-Cube4技术 新一代2.5D封装技术“I-Cube4”“I-Cube4”全称为“Interposer-Cube4”，作为一个三星的2.5D封装技术品牌，它是使用硅中介层，将多个...
半导体光刻胶按照技术含量来分类,又可以分为G线、I线、KrF、ArF和EUV5种类型。 这5种光刻胶中,最高端的EUV光刻胶,我国至今未能突破,尚在实验室阶段;KrF和ArF属于中端产品,虽然已经实现国产化,但国产份额应该还在10%以下,是现阶段的主要替代方向。i线和g线光刻胶属于低端产品,有很多国内企业能做,但空间也小...
半导体技术杂志为北大期刊, 现被 北大期刊(中国人文社会科学期刊)、统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)、万方收录(中)、CA 化学文摘(美)、SA 科学文摘(英)、JST 日本科学技术振兴机构数据库(日)、Pж(AJ) 文摘杂志(俄)、剑桥科学文摘、国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏、等收录。
IT之家 12 月 8 日消息，据佳能官方消息，佳能将于 2023 年 1 月上旬发售面向后道工艺的半导体光刻机新产品 ——i 线步进式光刻机“FPA-5520iV LF2 Option”。▲ FPA-5520iV LF2 Option 据介绍，FPA-5520iV LF2 Option 通过 0.8μm 的高解像力和曝光失真较小的 4 个 shot 拼接曝光，使 100×100mm...
中科院今天宣布,国内学者研发出了一种简单的制备低维半导体器件的方法——用 " 纳米画笔 " 勾勒未来光电子器件,它可以 " 画出 " 各种需要的芯片。 随着技术的发展,人们对半导体技术的要求越来越高,但是半导体制造难度却是越来越大,10nm 以下的工艺极其烧钱,这就需要其他技术。
华为公司取得一种半导体器件、芯片封装结构以及电子设备专利，该专利技术能在不增加半导体器件的尺寸的前提下，容纳更多数量的I/O接口 金融界2024年4月11日消息，据国家知识产权局公告，华为技术有限公司取得一项名为“一种半导体器件、芯片封装结构以及电子设备”，授权公告号CN113614914B，申请日期为2019年3月。专利...
第三代半导体技术和IGBT技术各有特点和应用领域,它们之间的关系更多是互补而非完全替代。以下是一些关于第三代半导体技术和IGBT技术的比较: 1. **材料差异**:第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等,这些材料具有宽带隙(WBG)的特性,相比硅(Si)材料,它们可以在更高的温度、电压和频率下工作...
iDivider技术应用了电容分压的原理,直接把电压信号从电容一边传到另一边,不需要RF信号和调制解调,发扬了其它隔离技术(如光耦的opto-coupler 技术,icoupler 技术,OOK技术等)的优点,也最大限度的优化了其它隔离技术的不足,是一种更本质更简洁的隔离信号传输技术,智能分压(iDivider)技术电路大大简化,功耗更低,速度更快...