NV高带宽接口(Nvidia High Bandwidth Interface): B200有两个Die,高速连接通道NV-HBI达到10TB/s。两个Die是一个统一的Cuda GPU。NV-HBI会占用一定的芯片面积。 内存: B200每个Die有4个24GB的HBM3e stack,合计一个Cuda GPU有192GB内存,内存带宽达8TB/s。相比H200时代六个内存控制器,可以减少内存接口的芯片面积,...
B200有两个Die,高速连接通道NV-HBI达到10TB/s。两个Die是一个统一的Cuda GPU。NV-HBI会占用一定的芯片面积。 内存: B200每个Die有4个24GB的HBM3e stack,合计一个Cuda GPU有192GB内存,内存带宽达8TB/s。相比H200时代六个内存控制器,可以减少内存接口的芯片面积,从而使得计算面积可以更大。 GB200: 有两个B200...
今早凌晨,黄仁勋宣布英伟达(NVIDIA)将推出用于万亿参数级生成式AI的NVIDIA Blackwell架构。搭载Blackwell技术,英伟达将推出B200和GB200系列芯片。 从外观来看,B200的体积明显大于H100,采用台积电的4纳米(4NP)工艺蚀刻而成,整合了两个独立制造的裸晶(Die),共有2080亿个晶体管,是上一代的两倍多。英伟达使用传输速度达到1...
根据NVIDIA公布的参数显示,B200本质上是一款“原生双芯”设计的GPU芯片。它的每一个芯片内含两个Die,两个Die之间则通过10TB/s带宽的NV-HBI总线互联,可以做到完全无延迟的算力融合,因此可以“等同于”一颗2080亿晶体管的超大GPU设计,同时降低制造难度、提高良品率。 与此同时,在B200 GPU内部,每个Die拥有四颗24GB的...
B200有两个Die,高速连接通道NV-HBI达到10TB/s。两个Die是一个统一的Cuda GPU。NV-HBI会占用一定的芯片面积。 内存: B200每个Die有4个24GB的HBM3e stack,合计一个Cuda GPU有192GB内存,内存带宽达8TB/s。相比H200时代六个内存控制器,可以减少内存接口的芯片面积,从而使得计算面积可以更大。 ...
Blackwell GPU的核心是B200芯片,B200芯片将两个die连接成一个统一的GPU,通信速度可达10TB/秒。 Blackwell GPU 的单芯片 AI 性能高达 20 PetaFLOPS,比上代 Hopper H100 提升 4 倍。 配备192GB HBM3e 内存,带宽高达 8TB/s。 Blackwell GPU 的 AI 推理性能比上一代提升了 30 倍。 注:die又称裸晶或裸片,是以...
最大内存只有144GB，NVIDIA为啥不采用至少像AMD那样的8个12Hi的HBM3E呢，因为他的die size太小只有8...
接下来,我们来了解一下NVHBI(NV高带宽接口)。这是一款由B200搭载的新型接口,其速度达到了10TB/s。这意味着B200的两个Die可以通过这一接口实现高速数据传输,从而提高了整个系统的性能。需要注意的是,虽然NVHBI占据了一定的芯片面积,但它对于提高系统性能具有重要意义。
性能方面,由于每个Blackwell GPU其内部都封装了两个Blackwell Die,而每一个Blackwell Die的浮点运算能力要比Hopper Die高出25%,所以Blackwell GPU的总性能相比Hopper GPU总性能提高了 2.5 倍,FP4精度推理性能提升至前代FP8的5倍;升级第五代NVLink,互连速度是Hopper的2倍,可扩展到576个GPU,能够解决万亿参数混合专家...
从技术上讲,上图显示了台积电的 CoWoS-R 内插器技术,该技术通常用于将 GPU、CPU 和其他加速器链接到 HBM 内存。CoWoS 的硅中介层仅限于大约两个标线单元,这正是Nvidia 上周刚刚推出的“Blackwell”B100 和 B200 GPU的尺寸。这并非巧合。这已经是英伟达所能做到的最大规模了。