重量 160kg 属性 单面对准、单面曝光 出射光斑 100mm*100mm 曝光时间 0秒~999.9秒 颜色 黑色、白色 尺寸 4寸 安装温度 25℃±2℃ 稳定电压 220V 光强 ≤20mw 可售卖地 全国 型号 C-33型4英寸高精度对准光刻机 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情...
商品名称:步进式光刻机 商品编号:T01099 制造商:尼康(Nikon) 型号:NSR-2005i9C 规格: NA可变系统:透镜NA 0.50至0.57 标线尺寸:6英寸 网状显微镜:固定 最大字段大小:22mm PPD:否 Reticle条形码读取器:否 标线SMIF:否 扩展R-库:否 分划器外壳:6英寸正常 网状线库插槽:14 晶圆:半平面 ...
Nikon NSR 2005i9C 1.Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.45µm 用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2.产品详情 主要技术指标 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 曝光现场20mm*20mm 对准精度 LSA:120nm FIA:130nm 3.更多...
本课题是基于 NIKON 公司生产的 NSR2005i9c 步进式光刻机, 对 0.45um 光刻工艺进行深入研究, 分析影响亚微米光刻质量的关键因素, 同时通过实验测量我校微细加工中心 NSR2005i9c 步进式光刻机的多项工艺参数。 关键字: NSR2005i9c, 步进式光刻机, 亚微米光刻...
1.Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.45µm 用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2.产品详情 主要技术指标 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 最大曝光现场20mm*20mm ...
Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备,该机型采用先进的步进光刻技术,能够实现高分辨率和高精度的图案转移,广泛应用于集成电路(IC)、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度,Nikon NSR 2005i9C非常适合大批量生产,同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功...
Nikon NSR 2005i9C 1.Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机 光源波长365nm 分辨率优于0.45µm 用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线 广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等领域 2.产品详情 主要技术指标 分辨率0.45µm N.A.0.57 曝光光源365nm 倍率5:1 曝光现场20mm*20mm 对准精度 LSA:120nm FIA:130nm 3.更多...
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本课题是基于 NIKON 公司生产的 NSR2005i9c 步进式光刻机, 对 0.45um 光刻工艺进行深入研究, 分析影响亚微米光刻质量的关键因素, 同时通过实验测量我校微细加工中心 NSR2005i9c 步进式光刻机的多项工艺参数。 关键字: NSR2005i9c, 步进式光刻机, 亚微米光刻 文档格式:DOC | 页数:57 | 浏览次数:118 |...