NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数据的,浮栅场效应管共有4个端电极,分别是为源极(Source)、漏极(Drain)、控制栅极(Control Gate)和浮置栅极(Floating Gate),前3个端电极的作用于普通MOSFET是一样的,区别仅在于浮栅,FLASH就是利用浮栅是否存储电荷来表征数字0...
NOR Flash 闪存在硅上的布线和结构 (图片来源:维基百科) NAND架构的布线和结构如下图所示。多个(通常是8个)记忆单元以类似NAND闸(或称“与非门”)的方式彼此串联。当所有的字线都拉高(1)时,位线就被拉低(0)。 NAND Flash 闪存在硅上的布线和结构 (图片来源:维基百科) NOR闪存架构提供了足够的地址线来映射...
NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮栅场效应管(Floating Gate FET)作为基本存储单元来存储数据的,浮栅场效应管共有4个端电极,分别是为源极(Source)、漏极(Drain)、控制栅极(Control Gate)和浮置栅极(Floating Gate),前3个端电极的作用于普通MOSFET是一样的,区别仅在于浮栅,FLASH就是利用浮栅是否存储电荷来表征数字0...
总结一下NAND flash的结构: die->plane->block->page->cell 理解记忆:die(天香小区)->plane(二栋)->block(一单元)->page(二楼)->cell(三号) 再看看逻辑视图(小区平面图) NAND flash制作工艺上分为2D和3D 相当于平房和楼房的区别。3D制作工艺更加复杂,但是单位体积能提供的容量更大,效率更高。现在企业存...
一,Flash的内存存储结构 flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash。 Nor FLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。Nor Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。
为了提高容量/价格比,东芝公司于1989年推出NAND Flash。但相比NOR Flash来说,两种Flash技术各有优、缺点以及各自适用的场合。NOR结构的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中,节省了时间。NAND结构的特点能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度...
NOR Flash：NOR Flash使用NOR门结构，其中每个存储单元都有一个地址，可以直接访问。它的内部结构更接近传统的存储器结构，具有并行访问特性。NAND Flash：NAND Flash使用NAND门结构，其中存储单元通过行和列进行寻址。它的内部结构更接近于逻辑门结构，具有串行访问特性。存储密度：NOR Flash：由于其较为复杂的内部结构...
所以 NOR 型的闪存存储器实现按位随机访问,而NAND 只能同时对多个存储单元同时访问。对于 NOR FLASH,如果任意一个存储单元被相应的字线选中打开,那么对应的位线将变为 0,正是由于这种和 NOR 门电路相似的逻辑关系,使得这种结构的闪存被称为 NOR 型闪存,而 NAND FLASH需要使一个位线上的所有存储单元都为 1,...
(1)Nand Flash存储器简介 1989年,东芝公司发表了Nand Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。Nand Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,同时内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的...