NOR FLASH的结构原理图见图3.1，可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的，当某个Word Line被选中后...
NOR FLASH的结构原理图见图3.1,可见每个Bit Line下的基本存储单元是并联的,当某个Word Line被选中后,就可以实现对该Word的读取,也就是可以实现位读取(即Random Access),且具有较高的读取速率,图3.1是一个3*8bit的NOR FLASH的原理结构图,图3.2是沿Bit Line切面的剖面图,展示了NOR FLASH的硅切面示意图,这种并联...
在这种情况下NOR闪存的接口开始向串行发展,但相较并行接口其性能受到一定的影响。下面讨论几种采用不同接口方式的NOR闪存。 并行NOR闪存的电气接口 顾名思义,并行NOR闪存使用类似SRAM的并行地址和数据总线与存储器控制器进行接口。市场上的并行NOR Flash器件一般支持8位(8-bit)或16位(16-bit)数据总线。地址总线的宽...
代码执行(code execution): NOR可以执行预置在芯片中的代码 由于以上的特点,NOR一般用在对容量需求不大,需要在启动时执行一段代码的场景中,而NAND用于高容量高性能的存储产品中。 NAND flash的结构 如果打开芯片的外壳,里面一层一层的东西叫做die(英语“死”那个单词,拼音叫“爹”),下图只是一个例子,一般是多个di...
1.构成和结构 NOR Flash:NOR Flash是一种基于并行结构的闪存技术。它采用了一种称为“NOR”的逻辑门设计,以实现数据的读取和写入操作。NOR Flash通常由多个晶体管组成的单元阵列构成。每个单元包含一个浮动栅膜(floating gate),用于存储数据。 NAND Flash:NAND Flash是一种基于串行结构的闪存技术。与NOR Flash不同...
NOR Structure: 侧视图及俯视图 2D NAND Structure: 侧视图及俯视图 03魔幻现实 近年来,一直活在论文与新闻里的PCM(X-Point)/MRAM/ReRAM等新型存储器已陆续或即将进入大规模量产(目前唯一能量产X-point只有Intel,技术实力不容置疑 不过这些新型存储器都有各自的应用场合,暂时并没有动摇DDR 和Flash 的市场根基。
Flash Memory(闪存)是非易失性的存储器。 一,Flash的内存存储结构 flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash。 Nor FLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。Nor Flash架构提供足够的地址...
需要特殊操作：在使用NAND Flash时，需要了解其特殊的操作方式，例如需要进行块或页的擦除操作才能写入数据。对坏块敏感：NAND Flash的存储单元容易损坏，需要使用冗余算法来处理坏块问题。Nor flash和Nand flash的比较 NOR Flash和NAND Flash都是非易失性（非易失性即掉电不丢失数据）存储器，但它们有一些区别：存储...