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NE3210S01-T1 规格参数 生命周期: Obsolete 包装说明: DISK BUTTON, O-PRDB-G4 针数: 4 Reach Compliance Code: unknown ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.21.00.75 风险等级: 5.2 Is Samacsys: N 其他特性: HIGH RELIABILITY 外壳连接: SOURCE 配置: SINGLE 最小漏源击穿电压: 3 V 最大漏极电流 (ID):...
NE3210S01-T1B全新原厂原装 现货库存 专业电子元器件IC配单 深圳市坪山区亿泰鸿业电子商行(个体工商户)1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥25.00 全新原装NE3210S01-T1B SMT-86射频结栅场效应晶体管(RF JFET) 深圳市芯存高远电子有限公司2年 ...
型号 NE3210S01 技术参数 品牌: NEC 型号: NE3210S01 封装: N/A 批号: 1932+ 数量: 6781 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 3V 最大电源电压: 7.5V 长度: 1.8mm 宽度: 5.6mm 高度: 1mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格...
型号 NE3210S01 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也...
部件名NE3210S01 下载NE3210S01下载 文件大小62.71 Kbytes 页16 Pages 制造商NEC [NEC] 网页http://www.nec.com/ 标志 功能描述X to KuBANDSUPERLOWNOISEAMPLIFERN-CHANNELHJ-FET DESCRIPTION The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its ...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 NE3210S01-T1B、 RENESAS 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS 数量: 58576 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 8V 长度: 3.2mm 宽度: 6....
品牌 Renesas 批号 新批次 封装 SMT86 QQ 2851679624 数量 3089 可售卖地 全国 型号 NE3210S01-T1B 型号 NE3210S01-T1B 品牌 Renesas 批号 新批次 封装 SMT86 QQ 2851679624 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规...