NE3210S01-AMOSFET Super Lo Noise HJFET制造商 : NEC/CEL 封装/规格 : SO-1 产品分类 : MOSFET Datasheet: NE3210S01-A Datasheet (PDF) RoHs Status: Rohs 库存: 1 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品 数量 加入BOM 询价 ...
NE3210S01-A的详细信息 制造商: NEC RoHS: 是 汲极/源极击穿电压: 4 V 闸/源击穿电压: - 3 V 漏极连续电流: 10 mA 功率耗散: 165 mW 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SO-1 : 相关器件 NE321000 NE321000- NE321000_01 NE3210S01 NE3210S01-T1 NE3210S01-T1B NE3210S01-T1B-A 扫码...
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产品中心>分离式半导体>晶体管>NE3210S01-T1B-A 图片仅供参考,请参阅产品规格。 MOSFET Super Lo Noise HJFET 制造商 :NEC/CEL 封装/规格 :SO-1 产品分类 :MOSFET Datasheet:NE3210S01-T1B-A Datasheet (PDF) RoHs Status:Rohs 库存:20 Share: ...